容量：8MB
　　组织结构：64位（x64）
　　访问时间：11.9ns
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：M64（64引脚）
　　接口类型：异步
　　最大工作频率：约84MHz（基于访问时间计算）
　　功耗：典型值低于500mW

50LSW68000M64X119 SRAM模块具备多项优良特性。首先，其高速访问时间为11.9ns，使该模块适用于需要快速数据处理的应用场景，如高速缓存、实时数据缓冲等。其次，该SRAM模块采用低功耗CMOS工艺，在保持高性能的同时有效降低功耗，适用于对能效有较高要求的嵌入式系统和便携式设备。此外，该器件的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），使其能够在恶劣环境条件下稳定运行。
　　该SRAM模块的64位数据总线设计支持大吞吐量的数据传输，有助于提升系统整体性能。同时，其异步接口支持灵活的时序控制，便于与多种微处理器和控制器连接。此外，模块内部集成了先进的地址和数据锁存功能，有助于减少外部逻辑控制的复杂性，提高系统的可靠性。
　　在封装方面，50LSW68000M64X119采用64引脚封装（M64），符合行业标准引脚排列，便于PCB布局和焊接，提高生产效率。该封装还具备良好的散热性能，能够有效降低高温对器件性能的影响。

该SRAM模块广泛应用于高性能嵌入式系统、工业控制设备、通信基础设施、网络交换设备、测试与测量仪器以及军事与航空航天领域中的数据缓存和临时存储场景。由于其高速、低功耗和工业级温度范围的特性，特别适合用于需要实时数据处理和高可靠性的系统中。

50LSW68000M64X125、CY7C1513AV18-119BZS、IDT71V68008SA125BQG