时间：2025/9/15 8:00:29
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5082-3080#T25是一款由Keysight Technologies（原安捷伦科技）生产的高性能砷化镓（GaAs）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）和微波频率范围内的放大器和混频器应用。该器件采用增强型pHEMT（伪高电子迁移率晶体管）技术，具有低噪声、高增益和优良的线性度，适合于无线通信系统、测试设备和雷达等高端应用。
类型：pHEMT FET
封装类型：表面贴装
工作频率范围：DC至4 GHz
漏极电流（ID）：典型值20 mA
栅极电压（VGS）：-0.7 V（典型值）
噪声系数：0.4 dB（在2 GHz）
增益：18 dB（在2 GHz）
输出功率：15 dBm（在2 GHz）
工作温度范围：-55°C至+150°C
5082-3080#T25具有优异的射频性能，特别是在低噪声和高增益方面表现突出。其pHEMT结构确保了在高频下依然保持稳定的增益和低噪声系数，同时具有良好的线性度和高截距点（IP3），使其适用于高动态范围的接收器前端。该器件的封装设计紧凑，适合表面贴装工艺，提高了在高频电路中的稳定性与可靠性。此外，该晶体管还具有较宽的工作温度范围，适用于工业和军事级应用环境。
该器件的另一个显著特点是其在不同偏置条件下的稳定性。5082-3080#T25能够在较宽的漏极电流范围内保持良好的性能，便于设计者根据具体应用需求进行优化。此外，其高输入和输出阻抗匹配能力，使得在设计射频放大器时可以减少外部匹配元件的数量，从而简化电路设计并降低整体成本。
5082-3080#T25广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波链路和卫星通信系统中的低噪声放大器（LNA）和中功率放大器。此外，该器件也常用于频谱分析仪、信号发生器和测试仪器等射频测试设备中，以提高信号接收的灵敏度和准确性。在军事和航空航天领域，5082-3080#T25也被用于雷达系统和电子战设备中的关键射频放大环节。
ATF-54143, MGA-631P8, HMC414
