500X14W103MV4T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他高效率电力电子应用。该器件采用先进的封装工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的功率密度和效率。
此芯片结合了高性能与可靠性设计,在高温、高压环境下仍能保持稳定的性能表现。
额定电压:650V
额定电流:20A
导通电阻:8mΩ
栅极电荷:50nC
反向恢复时间:10ns
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247-4L
500X14W103MV4T 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 快速的开关速度,支持高达几兆赫兹的工作频率。
3. 内置优化的栅极驱动电路,简化了外部驱动设计并提高了稳定性。
4. 具备良好的热性能,确保在高功率应用中的可靠运行。
5. 高耐压能力,使其适用于各种严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准,绿色环保且满足国际法规要求。
这款功率晶体管广泛应用于以下领域:
1. 高频AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电动汽车充电设备及车载充电器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 工业电机驱动和伺服控制器。
5. 数据中心服务器电源供应单元(PSU)。
6. LED照明驱动器和其他消费类电子产品。
500X14W103MV4P, 500X14W103MV4S