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500X14N270MV4T 发布时间 时间:2025/6/3 13:09:09 查看 阅读:8

500X14N270MV4T是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合在高电压环境下工作。

参数

型号:500X14N270MV4T
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极击穿电压):1200V
  Rds(on)(导通电阻):180mΩ
  Id(连续漏极电流):36A
  封装:TO-247
  Qg(栅极电荷):90nC
  EAS(雪崩能量):3.2J
  fsw(最大开关频率):100kHz

特性

500X14N270MV4T具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:该器件的漏源极击穿电压高达1200V,使其适用于各种高压应用场景。
  2. 低导通电阻:Rds(on)为180mΩ,有效降低导通损耗,提升系统效率。
  3. 出色的热稳定性:其先进的封装设计能够快速散热,保证器件在高温环境下的可靠性。
  4. 快速开关性能:具备低栅极电荷和高开关速度,减少开关损耗。
  5. 强大的雪崩能力:EAS达到3.2J,增强器件对异常情况的承受能力。

应用

该MOSFET主要应用于以下领域:
  1. 工业电源:如不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)。
  2. 电机控制:包括工业自动化设备中的伺服电机驱动。
  3. 太阳能逆变器:用于光伏系统的直流到交流转换。
  4. 电动汽车(EV):适用于车载充电器和牵引逆变器等组件。
  5. 其他需要高效功率管理的场合。

替代型号

500X14N270MV4,
  IRFP260N,
  FDP18N120AE,
  STW85N120K5

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500X14N270MV4T参数

  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列X2Y®
  • 电容27pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±20%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用旁通,去耦
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.064" L x 0.035" W(1.63mm x 0.89mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.026"(0.66mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低 ESL 型(X2Y)
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-