500X14N270MV4T是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合在高电压环境下工作。
型号:500X14N270MV4T
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源极击穿电压):1200V
Rds(on)(导通电阻):180mΩ
Id(连续漏极电流):36A
封装:TO-247
Qg(栅极电荷):90nC
EAS(雪崩能量):3.2J
fsw(最大开关频率):100kHz
500X14N270MV4T具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:该器件的漏源极击穿电压高达1200V,使其适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻:Rds(on)为180mΩ,有效降低导通损耗,提升系统效率。
3. 出色的热稳定性:其先进的封装设计能够快速散热,保证器件在高温环境下的可靠性。
4. 快速开关性能:具备低栅极电荷和高开关速度,减少开关损耗。
5. 强大的雪崩能力:EAS达到3.2J,增强器件对异常情况的承受能力。
该MOSFET主要应用于以下领域:
1. 工业电源:如不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)。
2. 电机控制:包括工业自动化设备中的伺服电机驱动。
3. 太阳能逆变器:用于光伏系统的直流到交流转换。
4. 电动汽车(EV):适用于车载充电器和牵引逆变器等组件。
5. 其他需要高效功率管理的场合。
500X14N270MV4,
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