时间：2025/6/3 13:09:09
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500X14N270MV4T是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合在高电压环境下工作。
型号：500X14N270MV4T
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：1200V
Rds(on)（导通电阻）：180mΩ
Id（连续漏极电流）：36A
封装：TO-247
Qg（栅极电荷）：90nC
EAS（雪崩能量）：3.2J
fsw（最大开关频率）：100kHz
500X14N270MV4T具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：该器件的漏源极击穿电压高达1200V，使其适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻：Rds(on)为180mΩ，有效降低导通损耗，提升系统效率。
3. 出色的热稳定性：其先进的封装设计能够快速散热，保证器件在高温环境下的可靠性。
4. 快速开关性能：具备低栅极电荷和高开关速度，减少开关损耗。
5. 强大的雪崩能力：EAS达到3.2J，增强器件对异常情况的承受能力。
该MOSFET主要应用于以下领域：
1. 工业电源：如不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)。
2. 电机控制：包括工业自动化设备中的伺服电机驱动。
3. 太阳能逆变器：用于光伏系统的直流到交流转换。
4. 电动汽车(EV)：适用于车载充电器和牵引逆变器等组件。
5. 其他需要高效功率管理的场合。
500X14N270MV4,
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