时间：2025/7/8 19:28:47
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500X14N220MV4T 是一款高压 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率开关应用而设计。该器件具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适用于工业电源、逆变器、电机驱动等场景中的高频开关操作。
其封装形式通常为 TO-247 或其他大功率散热封装，有助于在高电流条件下保持稳定运行。
最大漏源电压：2200V
连续漏极电流：14A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：28nC
总电容：320pF
功耗：260W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
500X14N220MV4T 的主要特点是其高耐压能力，可承受高达 2200V 的漏源电压，使其非常适合高压环境下的应用。此外，该器件具备低导通电阻和快速开关速度，能够减少能量损耗并提高效率。
其优化的栅极电荷设计进一步提升了动态性能，同时封装形式支持高效的热管理，确保在极端负载条件下的长期可靠性。
此器件还具有优异的雪崩能力和抗干扰性能，能够在异常情况下提供额外保护。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高压和高效率的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 工业电源转换系统
2. 高压 DC-DC 转换器
3. 太阳能逆变器
4. 电机驱动控制器
5. 不间断电源（UPS）
6. 电动车充电设备
这些应用均依赖于其卓越的开关特性和高压稳定性。
500X16N220MV4T, IRFP260N, STGW22NM65HD
