时间：2025/6/16 22:51:43
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500X14N100MV4T 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及高耐压能力，适用于高频开关电路和功率转换场景。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体取决于制造商的设计规范。由于其卓越的电气性能，500X14N100MV4T 成为许多工业级和消费级应用的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：80nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
500X14N100MV4T 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，降低开关损耗。
3. 强大的热稳定性，在极端环境温度下仍能保持可靠运行。
4. 内置 ESD 保护功能，增强器件在恶劣条件下的抗干扰能力。
5. 小尺寸封装设计，适合空间受限的应用场景。
6. 支持大电流负载，满足多种功率电子需求。
500X14N100MV4T 可用于以下典型应用：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机控制和驱动电路中的电子换向。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统中的能量管理。
5. 通信设备中的信号隔离与放大。
6. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
该芯片凭借其优异的性能和可靠性，成为众多工程师在设计高效率、高稳定性的功率电子系统时的首选解决方案。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP16N10
IXTH30N10P
