时间：2025/5/15 12:35:08
阅读：7
500X07N5R6DV4T 是一款高性能的 MOSFET 器件，属于氮化镓（GaN）功率晶体管系列。该器件采用先进的 GaN 技术制造，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于高频、高效能的应用场景。
其设计旨在满足现代电源转换系统的需求，包括但不限于 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动等应用。相比传统的硅基 MOSFET，500X07N5R6DV4T 在效率、尺寸和热性能方面都有显著提升。
型号：500X07N5R6DV4T
类型：增强型 E 模式 GaN HEMT
最大漏源电压（Vds）：650V
最大连续漏电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：5.6mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.3V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-263-7L
500X07N5R6DV4T 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高击穿电压能力，确保在高压环境下稳定运行。
4. 内置栅极保护电路，防止过压或静电损坏。
5. 小型化设计，有助于简化 PCB 布局并节省空间。
6. 热性能优越，支持高功率密度设计。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 工业级开关电源（SMPS）。
2. 高效 DC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 电动车充电设备（EVSE）。
5. LED 驱动器。
6. 电机驱动控制。
7. 不间断电源（UPS）系统。
500X07N6R5DV4T, 500X07N5R0DV4T
