时间：2025/6/16 22:50:56
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500X07N100MV4T是一款基于硅技术的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高效率应用而设计。该器件采用N沟道增强型结构，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要快速开关和低导通损耗的应用场景。
这款芯片以其卓越的耐压能力（额定电压高达100V）和低导通电阻特性，能够在高频条件下提供高效能表现。此外，它还具备较低的栅极电荷和输出电容，确保了更快的开关速度和更低的能量损耗。
型号：500X07N100MV4T
类型：N沟道MOSFET
额定电压：100V
最大漏源电流：7A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷：23nC
总电容（Ciss）：650pF
功耗：8W
封装形式：TO-247
1. 额定电压100V，适用于高压电路环境。
2. 极低的导通电阻（4.5mΩ），可显著降低功率损耗。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷和输出电容设计。
4. 热稳定性强，能够适应较高的结温范围（通常为-55°C至+175°C）。
5. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下维持正常工作。
6. 封装形式为TO-247，便于散热和安装，适合高功率密度应用。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动中的功率级开关元件，如无刷直流电机控制器。
3. DC-DC转换器中用于升降压控制的核心功率器件。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护元件。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 太阳能逆变器和储能系统中的关键功率器件。
500X07N100K4T
IRFZ44N
FDP55N10S
