时间：2025/5/31 2:39:55
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500R15N221JV4T是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率器件系列。该芯片采用先进的制造工艺，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各种需要高效能功率转换的场景。其封装形式为TO-247，适合大电流和高散热需求的应用环境。
500R15N221JV4T中的关键参数定义了其在高压电路中的表现能力，同时具备良好的稳定性和可靠性，能够适应恶劣的工作条件。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：1500V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：5A
导通电阻(R_DS(on))：0.6Ω（典型值，V_GS=10V）
功耗(P_TOT)：150W
结温范围(T_J)：-55℃至+175℃
封装：TO-247
这款高压MOSFET具有以下显著特性：
1. 高耐压性能：支持高达1500V的漏源电压，适用于高压工业应用。
2. 快速开关速度：由于较低的输入和输出电荷，可以实现更快的开关频率，从而提高效率。
3. 稳定性强：即使在高温或极端环境下，也能保持稳定的电气性能。
4. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为0.6Ω，有助于降低功率损耗。
5. 符合RoHS标准：环保设计，满足国际法规要求。
6. 高可靠性和长寿命：通过严格的质量控制和测试流程，确保产品在长期使用中表现出色。
500R15N221JV4T适用于多种电力电子领域：
1. 开关电源(SMPS)：作为主开关元件，用于提升效率和稳定性。
2. 电机驱动：在工业自动化设备中，用于控制电机的速度和方向。
3. 太阳能逆变器：将直流电转换为交流电，提供高效的能量转换。
4. 不间断电源(UPS)：在紧急情况下保障供电质量。
5. 电动汽车充电站：实现快速充电功能的同时保证安全性。
6. 高频DC-DC转换器：在通信基站和其他需要高效转换的场景中使用。
500R15N221K, 500R15N221L
