时间：2025/6/21 4:01:25
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500R07S110FV4T是一款高功率、高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于工业和汽车应用中的开关和功率转换。该器件采用了先进的制程技术，具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能。
这款MOSFET采用TO-263-4封装形式，适用于表面贴装工艺，能够显著减少电路板空间占用并提升系统的整体效率。
型号：500R07S110FV4T
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：700V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大连续漏极电流(I_D)：8A
导通电阻(R_DS(on))：110mΩ
总功耗(P_TOT)：15W
工作温度范围(T_J)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263-4
500R07S110FV4T具有以下关键特性：
1. 高击穿电压：高达700V，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：典型值为110mΩ，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关能力：具备较小的输入电容和输出电荷，从而实现高效的开关操作。
4. 热稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
5. 符合RoHS标准：环保且支持无铅焊接工艺。
6. 表面贴装设计：简化了装配流程并增强了产品的可靠性。
该元器件广泛应用于各种高功率电子设备中，例如：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动控制
4. 电磁阀驱动
5. 太阳能逆变器
6. 汽车电子系统中的负载切换
其高耐压和低损耗特点使其成为许多工业和汽车领域理想的选择。
500R07S110FV3T, IRF740, STP70NF7
