型号：4U6T402H
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　连续漏极电流（ID）：34 A（在 TC=25°C 时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻 RDS(on)：max 4.0 mΩ（在 VGS=10 V，ID=17 A 条件下）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.1 V ~ 3.0 V（在 ID=250 μA 时）
　　输入电容（Ciss）：典型值 2300 pF（在 VDS=30 V，VGS=0 V，f=1 MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值 590 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 30 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.2 V（在 IS=34 A，VGS=0 V）
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

4U6T402H 采用 Vishay 的 TrenchFET 技术，这项技术通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了器件的导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，从而实现更高的效率和更快的开关速度。其超低的 RDS(on) 特性使得在大电流应用中能够有效减少功率损耗，降低温升，提升系统热管理性能。该器件的栅极电荷（Qg）较低，在高频开关应用中可减少驱动损耗，特别适合用于同步整流和高频率 DC-DC 变换器。同时，其输入电容和输出电容经过优化，有助于减小电磁干扰（EMI），并提升系统的稳定性。
　　该 MOSFET 具备优异的热性能，得益于 PowerPAK SO-8 封装的底部散热焊盘设计，能够有效地将热量传导至 PCB，实现高效的热耗散。即使在高负载条件下，也能维持较低的工作温度，延长器件寿命。此外，4U6T402H 内部体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了反向恢复电荷（Qrr），降低了在桥式电路或续流路径中的开关损耗，避免了因反向恢复引起的电压尖峰问题。
　　该器件符合 RoHS 指令要求，并通过了无卤素认证，适用于绿色环保电子产品设计。其高雪崩能量等级（EAS）使其在遭受电压瞬变或电感负载突变时具备更强的耐受能力，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。制造过程中采用铜夹连接（Copper Clip Bonding）技术，替代传统的铝线键合，进一步降低了寄生电阻和电感，提高了电流承载能力和机械可靠性。这种结构还增强了器件在温度循环和热冲击下的稳定性，适合在汽车电子、工业控制等严苛环境中使用。

4U6T402H 广泛应用于各类高效电源转换系统中。在同步降压变换器中，它常作为主开关或同步整流器使用，凭借其低 RDS(on) 和快速开关特性，显著提升转换效率，尤其适用于多相 VRM（电压调节模块）设计，满足高性能 CPU 和 GPU 的供电需求。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路，其低导通损耗有助于延长电池续航时间。此外，在电机驱动应用中，如无人机电调、电动工具和小型伺服系统，4U6T402H 能够承受频繁的启停和大电流冲击，提供可靠的功率切换功能。
　　在负载开关电路中，4U6T402H 可用于实现电源域的上电排序和浪涌电流抑制，其快速响应能力有助于防止系统电压跌落。在热插拔控制器中，该器件可作为主功率开关，配合限流和软启动电路，实现安全的在线插拔操作。由于其小型化封装和高功率密度，也常用于便携式电子设备，如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等，帮助缩小整体电源模块尺寸。
　　在工业电源和通信电源领域，4U6T402H 被用于隔离型和非隔离型 DC-DC 模块中，作为初级侧或次级侧开关元件。其高结温能力和稳定性使其能在高温环境下可靠运行。此外，在太阳能逆变器、LED 驱动电源和UPS（不间断电源）系统中，该器件也展现出良好的性能表现，支持高效率和长寿命的设计目标。

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　　 "SiR144DP",
　　 "IRLHS6296",
　　 "AOZ5238EQI"
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