类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：2.1A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.23Ω（在VGS=4.5V时）
　　功率耗散（PD）：200mW
　　封装形式：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至150°C

4SD21 MOSFET的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在VGS为4.5V时，RDS(on)最大值为0.23Ω，使其适用于低电压高效率的开关电路。
　　该MOSFET具有较高的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC降压或升压转换器、同步整流器等。其快速开关特性可以减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。
　　此外，4SD21采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑型电路板上布局。这种封装也具备良好的散热性能，可以在有限的空间内实现较高的功率密度。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到10V的VGS工作电压，使其兼容多种控制电路，如微控制器或PWM控制器的直接驱动。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子应用中的严苛环境。

4SD21 MOSFET广泛应用于便携式电子设备、智能手机、平板电脑、锂电池管理系统、DC-DC转换器和负载开关控制等领域。由于其低导通电阻和高速开关特性，特别适用于需要高效能、低功耗设计的电源管理系统。
　　在DC-DC转换器中，4SD21可用于同步整流器或主开关，提高转换效率并减少发热。其SOT-23封装形式适合用于空间受限的电路设计。
　　在电池供电设备中，该器件常用于负载开关或电源管理模块，实现对不同功能模块的电源控制，延长电池续航时间。
　　此外，4SD21也可用于电机驱动、LED背光控制、电源多路复用等应用场景。

Si2302DS, 2N7002, FDV301N, BSS138