型号：4N90G-TM3-T
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：光电晶体管输出光耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：60 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：400 V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7 V
　　集电极电流（IC）：200 mA
　　功耗（PD）：150 mW
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　CTR（电流传输比）：50% 至 600%
　　响应时间（ton/off）：3 μs / 2 μs
　　封装类型：SMD-4（DIP-4 表面贴装）

4N90G-TM3-T具备优异的电气隔离性能，其隔离电压可达5000 VRMS，能够有效隔离高压侧与低压控制电路，确保系统的安全性与可靠性。该光耦采用高效率的砷化镓红外LED与硅基光敏晶体管组合，具有较高的电流传输比（CTR），典型值范围为50%至600%，这意味着在较低的输入驱动电流下即可实现有效的输出信号响应，从而降低驱动电路的功耗并提升系统能效。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，适用于严苛的工业环境，如高温车间或低温户外设备。其响应时间较短，导通时间约为3微秒，关断时间为2微秒，支持中高速信号传输，适用于开关电源反馈回路、数字信号隔离、PLC输入模块等应用。此外，4N90G-TM3-T采用表面贴装封装（SMD-4），便于自动化贴片生产，提高组装效率并节省PCB空间。
　　产品符合RoHS环保要求，并通过UL、CSA、VDE等多项国际安全认证，确保在医疗设备、工业自动化、电力控制系统等对安全等级要求较高的领域中稳定运行。其高耐压输出端（VCEO=400V）使其可直接用于AC线路检测或高压开关电路中，无需额外增加保护元件，简化了外围电路设计。同时，器件具有良好的线性度和温度稳定性，能够在不同负载和温度条件下保持一致的传输特性，减少系统校准需求。

4N90G-TM3-T广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源（SMPS）中，常用于反馈回路，将次级侧的电压信息通过光耦隔离后传递给初级侧的PWM控制器，实现闭环稳压控制，同时避免高压对控制芯片的影响。在工业自动化领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）的数字输入模块，隔离现场传感器信号与内部逻辑电路，防止工业现场的浪涌、噪声干扰导致控制器误动作。
　　在交流电机驱动器、逆变器和UPS系统中，4N90G-TM3-T可用于隔离控制信号与功率桥路，保障驱动电路的安全。此外，在通信接口中，如RS-232、RS-485隔离模块，该光耦可有效切断地线环路，抑制共模噪声，提高通信稳定性。它还适用于医疗电子设备中的信号隔离环节，满足医疗设备对绝缘耐压和漏电流的严格要求。
　　由于其高耐压特性，4N90G-TM3-T也可用于交流电网电压检测电路，作为零点检测或过压保护的隔离元件。在智能电表、电池管理系统（BMS）和光伏逆变器中，该器件同样发挥着关键的隔离作用，确保数据采集与控制信号的准确性和安全性。

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