类型：光电晶体管输出光耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：60 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VCEO）：400 V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：300 mV（典型值）
　　电流传输比（CTR）：20% ~ 600%（取决于测试条件）
　　响应时间：上升时间（tr）= 2 μs，下降时间（tf）= 2 μs
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS（1分钟）
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +125°C
　　封装形式：4-DIP（宽体）
　　引脚数量：4
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）
　　安全认证：UL 1577、CSA Component Acceptance Notice #5、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2

4N90-CQ具备优异的电气隔离性能，能够在高噪声或高电压环境中稳定工作。其核心优势在于高达5000 VRMS的隔离电压，使得该器件非常适合用于交流电源控制、工业自动化系统和开关电源等对安全性要求较高的应用场合。内部采用红外LED与硅光电晶体管的组合，保证了较长的使用寿命和稳定的光传输效率。器件在低输入电流条件下即可实现有效的输出驱动，典型CTR（电流传输比）范围为20%至600%，允许设计者在不同负载条件下灵活调整电路参数以优化性能。
　　该光耦具有良好的温度适应性，可在-55°C到+110°C的宽温范围内正常工作，适用于极端环境下的工业控制系统。响应速度快，上升和下降时间均为2微秒，能够满足中速数字信号隔离的需求，如微控制器与继电器、晶闸管之间的接口隔离。封装采用宽体DIP结构，增强了爬电距离和电气间隙，进一步提高了抗电弧和击穿的能力。所有材料均符合RoHS环保要求，并通过了主要国际安全标准的认证，确保产品在医疗设备、测量仪器和家用电器中的合规使用。
　　此外，4N90-CQ具有较强的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在复杂电磁环境中维持信号完整性。其输入端兼容常见的逻辑电平驱动电路，可通过限流电阻直接连接到TTL或CMOS输出端。输出端的光电晶体管可承受最高400V的集电极-发射极电压，适合用于直接驱动小型继电器或作为反馈检测元件。整体设计注重可靠性与长期稳定性，经过老化筛选和批次测试，确保每一批次产品的质量一致性。

4N90-CQ广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的反馈回路隔离，用于将次级侧的电压调节信号传递到初级侧控制器，同时阻断高压传导路径。在交流固态继电器（SSR）中，它作为控制信号与主功率电路之间的隔离元件，提升系统的安全性和抗干扰能力。
　　在工业自动化领域，4N90-CQ常用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块中，实现现场传感器或执行器与内部逻辑电路的隔离。它也适用于电机驱动器、逆变器和UPS不间断电源系统中的信号隔离环节。
　　此外，该器件可用于通信接口电路中，例如RS-232或RS-485收发器前端，防止地电位差引起的损坏。在家用电器中，如空调、洗衣机和电磁炉，4N90-CQ被用来隔离微处理器与高压加热或驱动电路，保障用户安全。
　　在医疗电子设备中，由于其通过多项安全认证，也可作为辅助电源或监控电路中的隔离组件。其他应用场景还包括电池管理系统、电表、照明控制以及各种需要电平转换和噪声抑制的嵌入式系统。

SFH618A-3X007T, PC817X1NSZ, TLP521-GB, EL817C, H11AA4