类型：MOSFET/IGBT驱动光耦
　　通道数：1
　　输入类型：DC
　　输出类型：推挽式（Totem Pole）
　　隔离电压：5000Vrms（最小）
　　最大工作电压（VCC）：35V
　　峰值输出电流：±2.5A
　　上升时间（tr）：50ns（典型）
　　下降时间（tf）：50ns（典型）
　　传播延迟时间：100ns（典型）
　　共模瞬态抑制（CMTI）：15kV/μs（最小）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　封装类型：DIP-8
　　安装类型：通孔

4N80G-TMA-T的核心特性之一是其卓越的电气隔离性能。该器件能够在输入和输出之间提供高达5000Vrms的隔离电压，满足UL、CSA、VDE等多种国际安全认证标准，适用于医疗设备、工业自动化、可再生能源系统等对安全性要求极高的应用场景。这种高隔离能力不仅可以防止高压侧故障影响低压控制电路，还能有效抑制地环路干扰，提升系统的抗干扰能力和稳定性。此外，其宽泛的工作温度范围（-40°C至+110°C）使其能在极端环境条件下可靠运行，适合部署于户外或高温工业现场。
　　另一个关键特性是其高速响应能力。4N80G-TMA-T具有极短的上升时间和下降时间（均为50ns典型值），以及低至100ns的传播延迟，这使得它能够支持数百kHz甚至MHz级别的开关频率操作。在高频开关电源或数字电源控制系统中，快速的响应速度可以显著减少开关损耗，提高整体能效。同时，其推挽式输出结构提供了较强的驱动能力，峰值输出电流可达±2.5A，足以快速充放电功率MOSFET的栅极电容，避免器件长时间处于线性区而导致过热损坏。
　　该器件还具备出色的共模瞬态抑制能力（CMTI），最小值达到15kV/μs。这一指标反映了器件在存在高dV/dt噪声环境下维持信号完整性的能力。在大功率逆变器或多相电机驱动中，由于多个桥臂同时切换会产生强烈的电压跳变，若驱动器CMTI不足，则可能导致误触发或逻辑翻转。4N80G-TMA-T通过优化内部光敏结构和输出缓冲电路，有效抑制此类噪声干扰，确保驱动信号的准确性与可靠性。
　　此外，4N80G-TMA-T采用了可靠的GaAs红外LED作为输入光源，具有较长的使用寿命和稳定的光电转换效率。配合集成化的光接收芯片，整个器件在长期运行中表现出良好的一致性与耐久性。其DIP-8封装不仅便于手工焊接和维修，也兼容自动插件生产线，适合批量制造应用。

4N80G-TMA-T广泛应用于各类需要电气隔离与高效功率驱动的电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，尤其是AC-DC和DC-DC转换器中，该器件常用于驱动半桥或全桥拓扑中的高压侧和低压侧MOSFET，确保控制器与主功率回路之间的安全隔离。由于其高CMTI和快速响应特性，特别适用于LLC谐振变换器、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）等高频高效拓扑结构。
　　在工业电机驱动系统中，4N80G-TMA-T可用于三相逆变器的IGBT或SiC MOSFET栅极驱动，实现微处理器或DSP控制信号与高压电机绕组之间的隔离传输。其±2.5A的峰值输出电流足以应对大功率电机启动时的瞬态需求，保障驱动信号的完整性。
　　在太阳能光伏逆变器中，该器件被用于直流侧与交流侧之间的信号隔离驱动，帮助构建高效、安全的能量转换链路。同样，在电动汽车车载充电机（OBC）、充电桩电源模块以及UPS不间断电源系统中，4N80G-TMA-T也发挥着重要作用，确保控制电路不受高压母线波动的影响。
　　此外，该器件还可应用于工业自动化设备中的PLC输出模块、固态继电器（SSR）、隔离式数字输入/输出接口等场合，提供可靠的电平转换与噪声隔离功能。其高可靠性与耐用性也使其成为军工、航空航天等高端领域的优选隔离驱动方案之一。

ACPL-332J-000E