类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　封装形式：DIP-8
　　隔离电压：5000 VRMS
　　正向电压（VF）：典型值1.2V，最大1.5V @ IF=10mA
　　集电极-发射极耐压（VCEO）：80V
　　发射极-集电极耐压（VECO）：6V
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大LED正向电流（IF）：60mA
　　反向电压（VR）：5V
　　电流传输比（CTR）：最小20%，典型值50% @ IF=5mA, VCE=5V
　　上升时间/下降时间：典型值3μs / 3μs @ IF=10mA, RL=100Ω

4N80-LC光耦合器的核心特性在于其优异的电气隔离性能和稳定的信号传输能力。该器件通过内部的红外LED与光敏三极管之间的光学耦合实现电信号的传递，同时在物理上完全隔离了输入侧与输出侧的电路连接，从而有效阻断了高压瞬变、地电位差和电磁干扰对敏感控制电路的影响。这种隔离机制特别适用于开关电源反馈回路中，用于将次级侧的电压调节信号反馈至初级侧PWM控制器，同时保持主电路与控制电路之间的绝缘安全。其高达5000VRMS的隔离电压使其符合多种国际安全标准，可用于工业级和医疗类设备的安全隔离设计。
　　另一个重要特性是其良好的电流传输比（CTR），典型值可达50%，这意味着当输入端注入5mA的正向电流时，输出端可以获得约2.5mA的集电极电流，足以驱动后续逻辑电路或小型继电器。尽管CTR会随温度升高而有所下降，但在正常工作范围内仍能保持较好的线性度和响应一致性。此外，4N80-LC具有较长的使用寿命和高可靠性，得益于其密封的DIP-8封装结构，能够在潮湿、高温或振动环境中稳定运行。该器件还具备一定的抗辐射能力和静电防护能力，进一步提升了系统稳定性。
　　在动态响应方面，4N80-LC的上升时间和下降时间均为3μs左右，适用于频率不超过几十kHz的信号传输场合。虽然不适用于高速数字通信，但对于模拟信号隔离、直流电平转换、状态检测等中低速应用场景已足够。其输入端为标准LED特性，可直接由TTL或CMOS逻辑电路驱动，无需额外电平转换；输出端则表现为一个NPN型光敏三极管，可配置为共射极或光电导模式，灵活适应不同的负载需求。整体而言，4N80-LC以其成熟的设计、广泛的兼容性和出色的性价比，成为众多嵌入式系统和工业电子设备中的首选光耦之一。

4N80-LC广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中。最常见的用途是在开关电源（SMPS）中作为反馈元件，连接次级侧的稳压电路与初级侧的PWM控制器，实现闭环电压调节的同时保障隔离安全性。它也被大量用于可编程逻辑控制器（PLC）、工业自动化模块中的数字量输入/输出隔离，防止现场设备的高压或噪声窜入中央处理单元。在交流/直流电机控制电路中，4N80-LC可用于隔离微控制器发出的控制信号与功率驱动部分，提升系统的抗干扰能力和操作安全。
　　此外，该器件常用于通信接口的电平隔离，例如RS-232、RS-485等串行通信线路中，用以切断地环路并提高通信稳定性。在医疗电子设备中，由于对患者安全有严格要求，4N80-LC可用于实现信号路径的医用级隔离，满足IEC 60601等相关标准。它还常见于电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS不间断电源等电力电子装置中，承担状态监测信号的隔离传输任务。在测试测量仪器中，4N80-LC可用于隔离采样电路与主控单元，防止高压测试信号损坏核心芯片。由于其DIP-8封装易于手工焊接和维护，也适合教学实验板、原型开发和小批量生产使用。

MOC8083, PC817X, LTV-817, H11AA1, EL817