时间：2025/12/27 8:21:17
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4N70K-TC是一款高压功率MOSFET晶体管，通常用于开关电源、DC-DC转换器以及其他高电压功率管理应用中。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热稳定性和较高的功率处理能力。4N70K-TC中的“4N”可能表示制造商或产品系列标识，“70”代表其漏源击穿电压为700V，“K”可能为产品等级或导通电阻等级标识，“TC”通常指该型号带有绝缘底板的TO-220封装（即TO-220AB或TO-220FP形式），适用于需要电气隔离的应用场景。该MOSFET为N沟道增强型器件，能够在高电压条件下实现低导通损耗和快速开关响应，广泛应用于工业电源、照明镇流器、逆变器以及消费类电子设备的电源模块中。由于其高耐压特性，4N70K-TC特别适合用于离线式开关电源设计，可直接连接整流后的市电电压（如220V AC经整流后约310V DC），并具备足够的电压裕量以应对瞬态过压情况。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源击穿电压（BVDSS）：700V
连续漏极电流（ID）：4A（@25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：16A
栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 5.0V
导通电阻（RDS(on)）：典型值2.0Ω（@VGS=10V）
最大功耗（PD）：50W
工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
栅源电压（VGSS）：±30V
封装形式：TO-220（绝缘型）
输入电容（Ciss）：约800pF（@VDS=25V）
输出电容（Coss）：约150pF（@VDS=25V）
反向恢复时间（trr）：无（非体二极管主导应用）
4N70K-TC具备出色的高压阻断能力，其700V的漏源击穿电压确保了在高输入电压环境下的可靠运行，尤其适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的开关电源设计。该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，推荐工作VGS为10V至15V，能够有效降低导通电阻，从而减少传导损耗，提高系统整体效率。其TO-220绝缘封装设计允许器件直接安装在接地散热器上而无需额外的绝缘垫片，简化了热管理设计并提升了系统的安全性和可靠性。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容，有助于减少驱动电路的功耗，并支持较高的开关频率操作，适用于高频SMPS拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥结构。
在可靠性方面，4N70K-TC具备优良的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定，避免因电压尖峰导致的器件损坏。其内部结构优化减少了热阻（RthJC），提高了从结到外壳的热传导效率，使器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。该MOSFET还具有良好的抗噪能力和抗dv/dt干扰性能，降低了误触发风险。制造工艺上采用平面栅极技术，确保批次一致性与长期稳定性，适合工业级和消费级大批量应用。同时，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造标准。
4N70K-TC广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，尤其是在交流-直流（AC-DC）转换器中作为主开关管使用。典型应用场景包括LED驱动电源、电视机和显示器的内置电源、小型UPS不间断电源、家电控制板电源模块以及工业控制设备的辅助电源。在反激式转换器拓扑中，该MOSFET负责周期性地存储和释放变压器能量，实现高效的电压变换与电气隔离。此外，它也适用于高压DC-DC转换器、电池充电器、逆变焊机以及电子镇流器等需要高耐压和稳定开关性能的场合。由于其良好的热特性和电气隔离封装，4N70K-TC常被选用于对安全隔离要求较高的医疗设备或测量仪器电源部分。在太阳能微逆变器或小型风力发电系统的电力转换模块中，也可作为初级侧开关元件参与能量调节。得益于其坚固的结构和宽泛的温度工作范围，该器件还能在恶劣环境条件下（如高温车间或户外设备）稳定运行，满足工业自动化和智能电网终端设备的需求。
STP4NK70ZFP
FQP7N70L
KSE700K
