型号：4N65ZL-TN3-R
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：光电晶体管输出光耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：60 mA
　　输入反向电压（VR）：6 V
　　输出耐压（VCEO）：650 V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：典型值3.0 V（在IC=2 mA, IF=10 mA条件下）
　　电流传输比（CTR）：50%～600%（在IF=10 mA, VCE=5 V, f=1 kHz条件下）
　　响应时间：开通时间（ton）≤ 3 μs，关断时间（toff）≤ 8 μs
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS（1分钟，符合UL1577标准）
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　封装类型：4-DIP（表面贴装）
　　引脚数：4
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C，峰值）

4N65ZL-TN3-R光耦合器具备优异的电气隔离性能和高电压承受能力，其输出端晶体管的集电极-发射极耐压高达650V，使其特别适用于高压开关电源中的反馈控制电路，能够有效防止高压侧对低压控制电路的干扰或损坏。该器件的电流传输比（CTR）范围宽，典型值在50%到600%之间，意味着在较低的输入驱动电流下即可实现较高的输出信号增益，有助于降低驱动功耗并提升系统能效。其响应时间较短，开通时间不超过3微秒，关断时间不超过8微秒，能够满足中高速信号传输需求，适用于PWM控制、数字隔离和脉冲信号传递等应用场景。
　　该光耦采用AlGaAs红外LED作为光源，具有高发光效率和长寿命，即使在长时间连续工作条件下也能保持稳定的光输出特性，从而确保信号传输的一致性和可靠性。其光电探测器部分集成了光敏晶体管，并优化了内部光学结构，提升了光耦合效率和信噪比。器件的输入与输出之间通过透明绝缘层实现物理隔离，隔离电压可达5000 VRMS，符合UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5等国际安全标准，适用于需要加强绝缘保护的工业和医疗设备。
　　4N65ZL-TN3-R还具备良好的温度适应性，在-55°C至+110°C的宽温范围内仍能保持稳定的电气性能，适用于高温或低温恶劣环境下的应用。其表面贴装封装形式不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提高了生产效率和组装一致性。此外，该器件具有低漏电流、低暗电流和高共模瞬态抑制能力（CMTI），可有效抵抗快速电压变化引起的误触发，增强了系统的抗干扰能力和运行稳定性。

4N65ZL-TN3-R广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，常用于反馈回路中，将次级侧的电压调节信号隔离后传递至初级侧的PWM控制器，实现精确稳压的同时保证高低压之间的安全隔离。在工业自动化控制系统中，该光耦可用于PLC输入/输出模块、继电器驱动电路和传感器接口，防止现场干扰影响核心控制单元。在电机驱动器和逆变器中，它被用来隔离控制信号与功率桥臂驱动电路，保障控制芯片免受高压噪声冲击。此外，在通信设备中，如RS-232、RS-485等接口电路中，4N65ZL-TN3-R可用于实现信号隔离，提高通信的可靠性和抗干扰能力。医疗电子设备中也常采用此类高隔离电压光耦，以满足严格的电气安全规范。其他应用还包括电池管理系统（BMS）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及各类工业电源模块等对安全性和可靠性要求较高的领域。

FOD817AC
　　EL3H7(TA)-V
　　PC817X1NIP0F
　　TLP521-GB