型号：4N65Z-E
　　封装：TO-220F
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：3.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：15.2A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：≤2.2Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：≤2.8Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 5V
　　输入电容（Ciss）：600pF @ 25V VDS
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　耗散功率（PD）：50W @ TC=25℃

4N65Z-E采用先进的平面型高压MOSFET工艺制造，具备优异的电气性能与热稳定性。其核心优势在于高耐压与低导通电阻的结合，使得器件在650V高压应用中仍能保持较低的导通损耗，显著提升电源系统的转换效率。该器件的RDS(on)在VGS=10V时不超过2.2Ω，在同类产品中处于领先水平，有助于减少发热并简化散热设计。此外，其动态参数如输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg）均经过优化，确保在高频开关应用中具有快速的开关响应速度和较低的驱动损耗，适用于工作频率较高的开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、LLC谐振变换器等。
　　4N65Z-E的体二极管具备较快的反向恢复特性（trr约30ns），可有效抑制因感性负载引起的电压尖峰，降低EMI干扰风险，并提升系统在复杂工况下的鲁棒性。器件的栅极结构具有良好的抗静电能力（ESD）和瞬态过压保护能力，避免因操作不当或环境因素导致的早期失效。其TO-220F封装具备良好的机械强度与散热性能，适合通孔插件安装方式，便于在PCB上实现稳固连接与高效散热。该封装还具备较高的绝缘性能，适用于需要隔离安装的应用场合。
　　在可靠性方面，4N65Z-E通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）、温度循环（TC）和高压蒸煮试验（HAST），确保在恶劣环境条件下长期稳定运行。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应各种严苛应用场景。同时，产品生产过程遵循ISO9001和IATF16949质量管理体系，保证批次一致性与高良率。作为国产化替代的重要型号，4N65Z-E在性能上可对标国际品牌如ST的STP4NK60Z、ON Semiconductor的FQP4N60等，且在成本与供货稳定性方面更具优势。

4N65Z-E广泛应用于各类中低压直流与交流电源系统中，尤其适用于需要高效率与高可靠性的电力电子设备。典型应用包括：智能家电中的开关电源模块（SMPS），如电视、空调、洗衣机等内部的辅助电源；LED恒流驱动电源，用于户外照明、路灯及商业照明系统，提供稳定的功率输出与高效的能量转换；通用AC-DC适配器与充电器，如手机充电器、笔记本电源等，满足小型化与高能效的设计需求；工业控制领域的继电器驱动、电机控制电路及PLC电源模块；太阳能逆变器中的DC-DC升压或隔离环节；以及其他需要高压MOSFET作为主开关器件的拓扑结构，如反激、正激、半桥等电路。
　　此外，4N65Z-E也常用于电子镇流器、不间断电源（UPS）、小型逆变电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路等。由于其具备良好的动态响应能力和抗浪涌能力，也可用于存在频繁启停或负载突变的工业环境。在电磁炉、电饭煲等小家电的功率控制单元中，4N65Z-E能够胜任高频斩波与功率调节任务。随着国产元器件替代进程的加速，该型号在通信电源、安防监控设备、智能家居网关等新兴领域也逐步获得广泛应用。其高性价比与本地技术支持优势，使其成为工程师在进行电源设计时优先考虑的国产MOSFET选项之一。

STP4NK60ZFP
　　FQP4N60
　　KSE4N65