型号：4N65KG-TN3-R
　　类型：晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流：50 mA
　　输入反向电压：6 V
　　输出耐压：60 V
　　集电极-发射极饱和电压：300 mV（典型）
　　电流传输比（CTR）：50%～600% @ IF=5mA, VCE=5V
　　隔离电压：5000 VRMS
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP-4
　　引脚数：4
　　上升时间：3 μs
　　下降时间：2 μs
　　绝缘电阻：10^11 Ω（最小）
　　介电强度：5 kV RMS / 1分钟
　　LED波长：940 nm（典型）

4N65KG-TN3-R具备卓越的电气隔离性能，其最大隔离电压可达5000 VRMS，能够有效阻隔高压侧与低压控制电路之间的直接电气连接，从而保护后级电路免受浪涌、雷击或电源故障带来的损坏。这种高隔离能力特别适用于AC-DC转换器、开关电源（SMPS）、逆变器和UPS等电力电子设备中的反馈回路设计。光耦内部的红外LED与硅基光电晶体管之间采用透明绝缘材料进行物理隔离，确保信号可通过光传导方式传递，同时切断地线环路引起的共模噪声干扰。这种结构不仅提升了系统的抗干扰能力，还增强了整体的安全等级，符合IEC/EN/DIN EN 60747-5-2等国际标准对光电耦合器的安规要求。
　　该器件具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+110°C），能够在极端高低温环境下保持稳定的性能输出，适合部署于户外设备、工业自动化控制系统及车载电子系统中。其封装采用SOP-4小型化设计，节省PCB空间并便于自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。4N65KG-TN3-R的电流传输比（CTR）范围宽（50%～600%），意味着在不同批次和使用条件下仍能维持良好的信号增益，减少了外围补偿电路的设计复杂度。高CTR特性也允许降低驱动LED的电流，有助于节能降耗，延长LED寿命。此外，器件具备较低的集电极-发射极饱和电压（典型300mV），说明其导通损耗小，输出端可以更接近完全导通状态，提升负载驱动能力和能效表现。
　　响应时间方面，4N65KG-TN3-R的上升时间为3μs，下降时间为2μs，属于中高速光耦范畴，足以应对多数数字信号隔离需求，例如微控制器与功率模块之间的通信隔离、PLC输入/输出模块的电平转换等。虽然不适用于极高频率的应用（如MHz级以上），但在典型的PWM控制、状态检测和串行通信隔离场景中表现优异。其LED正向压降约为1.2V～1.4V，兼容TTL和CMOS逻辑电平驱动，可直接由MCU GPIO引脚驱动而无需额外电平转换电路。整体而言，4N65KG-TN3-R是一款兼顾性能、可靠性与成本效益的通用型光耦，适用于多种工业与消费类电子系统。

4N65KG-TN3-R广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈控制回路，用于将次级侧的输出电压信息安全地传送到初级侧的PWM控制器，实现闭环稳压功能；在AC-DC和DC-DC转换器中作为隔离元件，防止高压侧干扰影响低压控制电路。该器件也常用于工业自动化领域的PLC（可编程逻辑控制器）输入/输出模块，实现现场传感器与中央处理单元之间的信号隔离，提高系统抗电磁干扰能力。在电机驱动器、变频器和逆变器中，它可用于门极驱动电路的隔离，保障主控芯片不受功率桥臂高压瞬变的影响。
　　此外，4N65KG-TN3-R适用于通信接口隔离，如RS-232、RS-485等总线系统中，防止不同设备间因地电位差导致的数据错误或硬件损坏。在医疗电子设备中，由于其符合严格的安全隔离规范，可用于患者连接设备的信号传输部分，确保人身安全。在智能电表、光伏汇流箱、电池管理系统（BMS）等新能源领域，该光耦可用于状态监测与告警信号的隔离传输。其高可靠性与长寿命特性也使其成为汽车电子、轨道交通控制系统中的理想选择。总之，凡是需要在不同电位之间传递信号且要求高安全性和稳定性的场合，4N65KG-TN3-R都能发挥关键作用。

K847PH-AP,TLP521-GB,TLP521-4GB,PC817X1NTS,EL817(U)