类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：1.2V 典型值
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出耐压（VCEO）：600V
　　集电极电流（IC）：50mA 最大值
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS
　　上升时间（tr）：3μs
　　下降时间（tf）：2μs
　　封装形式：SOP-4
　　引脚数：4
　　安装类型：表面贴装（SMD）

4N65K-MT光耦合器具备优异的电气隔离性能，其最大隔离电压可达5000VRMS，能够有效阻断高压侧与低压控制电路之间的直接电气连接，确保系统的安全性和稳定性。这一特性使其特别适用于需要高绝缘等级的应用场合，例如开关电源反馈回路、交流电源控制以及工业自动化控制系统中。
　　该器件采用红外LED与硅光电晶体管组合结构，在输入端施加电流时，LED发出红外光，被光电晶体管接收后产生相应的集电极电流，从而实现信号的跨隔离传输。这种基于光的耦合方式不仅避免了电磁干扰的传播路径，还显著提升了系统的抗噪能力。
　　4N65K-MT拥有宽泛的电流传输比（CTR）范围（50%～600%），意味着即使在较小的输入驱动电流（如5mA）下也能获得足够的输出响应，有利于降低前级驱动电路的负载压力，并提升整体能效。此外，CTR的良好一致性保证了批量使用时的稳定性与可预测性。
　　其SOP-4表面贴装封装形式不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提高了制造效率。器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。同时，该器件具备较强的环境适应能力，可在-55°C至+110°C的极端温度条件下可靠工作，适用于严苛工业环境下的长期运行。
　　4N65K-MT还具有较快的响应速度，典型上升时间为3μs，下降时间为2μs，足以应对中等频率的数字信号隔离需求，如微控制器I/O隔离、串行通信隔离等。虽然不适用于高频模拟信号传输，但在绝大多数数字隔离和功率控制场景中表现优异。

4N65K-MT常用于各种需要电气隔离的电子系统中，典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的反馈控制电路，用于将次级侧的电压调节信号安全地传递到初级侧PWM控制器，同时保持高低压域之间的隔离。此外，它也被广泛应用于逆变器、UPS不间断电源、DC-DC转换器等电力电子设备中，作为驱动信号隔离元件，防止高压侧故障影响低压控制部分。
　　在工业控制领域，4N65K-MT可用于PLC（可编程逻辑控制器）输入/输出模块的信号隔离，保护核心处理器免受现场传感器或执行器引入的浪涌或噪声干扰。它还可用于电机驱动器中的栅极驱动隔离，确保控制信号准确送达功率器件（如MOSFET或IGBT）的同时维持系统安全性。
　　在通信接口方面，该光耦可用于RS-232、RS-485等串行通信线路的隔离设计，消除不同设备间的地电位差导致的通信异常问题。另外，在医疗电子设备中，出于安全规范要求，常需实现患者连接部分与主控电路之间的强化隔离，4N65K-MT也可在此类低速信号通道中发挥重要作用。
　　消费类电子产品如智能家电、充电器、LED照明驱动电源中也常见其身影，用于实现用户操作界面与主电源之间的隔离，提升产品安全等级。总之，凡是涉及高低压隔离、噪声抑制或接地隔离的设计，4N65K-MT都是一种经济且可靠的解决方案。

EL357NC-TA1-D
　　TLP521-GB
　　PC817X1NSZNF