时间：2025/8/16 13:06:25
阅读：21
4N65（CJU04N65）是一款广泛应用于电源管理和功率转换领域的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等多种应用场合。4N65在TO-220封装中提供优良的散热性能，适合中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：650V
最大栅源电压(VGS)：±30V
最大漏极电流(ID)：2.5A
导通电阻(RDS(on))：典型值2.5Ω
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
功率耗散(PD)：50W
4N65 MOSFET具备多项优异特性，包括高击穿电压（650V），可确保在高压环境下稳定工作；其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率；此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高温度下运行而不影响性能。栅极驱动电压范围较宽（±30V），使得其适用于多种驱动电路设计。TO-220封装提供了良好的散热能力，适用于需要较高功率处理能力的电路。该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了在严苛环境下的可靠性。
4N65在设计中采用了先进的平面工艺技术，使其在高压和大电流条件下仍能保持稳定工作。它的开关速度快，适用于高频开关应用，同时具有较低的开关损耗。此外，该MOSFET的封装结构便于安装和散热管理，适合用于工业控制、消费类电源设备以及汽车电子系统中的功率控制电路。
4N65常用于各类电源系统中，如AC-DC适配器、开关电源（SMPS）、LED驱动电源、逆变器和UPS系统等。其高耐压特性也使其适用于电机驱动和继电器替代电路。此外，该MOSFET可应用于电池管理系统、充电器、DC-DC转换器以及工业自动化设备中的负载开关控制。在汽车电子方面，4N65可用于车载电源转换模块和电动工具控制系统。
IRF840、FQP12N60、STP4NK60Z、18N50、K2645
