型号：4N60KL-TC
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220
　　极性：N-Channel
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（最大值，@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：700pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：35pF（@Vds=25V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

4N60KL-TC采用了先进的平面栅极工艺和场板结构设计，有效提升了器件的耐压能力与可靠性。其600V的高击穿电压使其能够在宽输入电压范围内稳定工作，特别适用于全球通用输入电压（85VAC~265VAC）的离线式电源系统。该MOSFET具备较低的导通电阻（Rds(on)），典型值在1.8Ω以下，有助于降低导通期间的能量损耗，从而提高电源系统的整体效率并减少散热需求。同时，器件的栅极电荷（Qg）较低，通常在30nC左右，这意味着它可以在高频开关条件下快速开启和关断，减少了开关过程中的能量损失，非常适合用于工作频率较高的开关电源拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）或LLC谐振变换器。
　　该器件具备出色的热稳定性和长期可靠性，芯片经过严格的高温高压测试（HTRB、HTGB等），确保在恶劣环境下的耐用性。其TO-220封装具有较大的金属背板，便于安装散热片，提升热传导效率，有效控制结温上升。此外，4N60KL-TC内置体二极管具有较快的恢复速度和较强的抗浪涌能力，能够在感性负载切换时提供有效的续流路径，防止电压尖峰损坏器件。该体二极管的反向恢复时间（trr）较短，有助于减少反向恢复带来的电磁干扰（EMI）问题，有利于满足EMC认证要求。
　　在安全保护方面，4N60KL-TC展现出优异的雪崩能量承受能力（EAS），能够在瞬态过压事件中吸收一定能量而不发生永久性损坏，增强了系统面对雷击或电网波动时的鲁棒性。此外，器件对dv/dt和di/dt的敏感度较低，降低了误触发的风险。由于其电气参数一致性高，批次稳定性好，适合大规模自动化生产使用。总体而言，4N60KL-TC是一款性价比高、性能稳定的中功率MOSFET，广泛受到电源设计工程师的青睐。

4N60KL-TC主要应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。常见应用包括：AC-DC适配器与充电器，例如笔记本电脑、手机、智能家居设备的外置电源；LED照明驱动电源，特别是非隔离和隔离式恒流驱动方案；家用电器中的辅助电源（Auxiliary Power Supply），如空调、洗衣机、微波炉等内部的小功率供电模块；工业控制设备中的DC-DC转换器前端主开关管；小型逆变电源与UPS不间断电源系统；以及电子镇流器、智能电表电源模块等领域。由于其具备600V耐压能力，能够很好地适应宽范围交流输入条件，因此在单端反激（Flyback）拓扑结构中作为主控开关元件被广泛采用。此外，该器件也可用于电机驱动电路中的低端开关或H桥结构中，实现对小功率直流电机或步进电机的控制。在待机电源（Standby Power Supply）设计中，4N60KL-TC因其低静态功耗和高转换效率而成为理想选择，有助于产品满足能源之星（Energy Star）或欧盟CoC Tier 2等能效标准。其良好的热特性和封装兼容性也使其易于集成到紧凑型PCB布局中，支持自动化贴装工艺，适用于批量生产环境。

KIA4N60F3, FQP6N60, STP5NK60ZFP, 2SK3562, SIHP23N60D