时间：2025/12/27 8:18:06
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4N60K-TC是一款由UTC（友顺科技股份有限公司）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他高电压、中等电流的功率开关场合。该器件采用先进的高压平面栅极工艺技术制造，具备优良的开关特性和导通电阻性能，能够在600V的漏源击穿电压下稳定工作，适合在高效率、小体积的电源系统中使用。4N60K-TC的封装形式为TO-220，具有良好的散热能力和机械稳定性，适用于工业级温度范围，能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常运行。该MOSFET设计用于替代传统的双极型晶体管或低效率的功率器件，以提升系统的整体能效和可靠性。其栅极阈值电压适中，便于与常见的PWM控制器或驱动电路直接接口，简化了外围驱动设计。此外，4N60K-TC具备较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高高频工作的可行性。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，4N60K-TC常被用于AC-DC适配器、LED照明电源、太阳能微逆变器、电机控制以及各种离线式开关电源拓扑结构中，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式变换器等。
型号：4N60K-TC
封装：TO-220
极性：N沟道
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：2.5A @ 25°C
脉冲漏极电流(Idm)：10A
导通电阻(Rds(on))：2.0Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
输入电容(Ciss)：500pF @ Vds=25V
输出电容(Coss)：100pF @ Vds=25V
反向恢复时间(trr)：30ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
功耗(Pd)：50W
4N60K-TC具备多项优异的电气与热力学特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其600V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下工作的安全裕度，适用于全球通用的交流输入电压范围（85V~265V AC）下的整流后母线电压场景。该器件的导通电阻在2.0Ω左右，虽然相较于低压MOSFET偏高，但在600V耐压等级中属于合理水平，能够有效降低导通损耗，提升电源效率。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为25nC，这使得驱动电路所需提供的驱动功率较小，有利于实现高频开关操作，从而减小磁性元件的体积，提高电源功率密度。此外，器件的米勒电容（Crss）较小，降低了开关过程中因电压突变引起的误触发风险，增强了系统的抗干扰能力。
4N60K-TC采用TO-220封装，具有良好的热传导性能，可通过外接散热片将热量有效传导至外部环境，确保长时间高负载运行下的热稳定性。该MOSFET还具备较强的雪崩能量承受能力，在瞬态过压或电感反冲情况下仍能保持可靠工作，提升了系统鲁棒性。其快速的开关响应特性（开启时间ton约50ns，关断时间toff约30ns）支持高达100kHz以上的开关频率，满足现代高效开关电源的设计需求。同时，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品制造。其稳定的参数一致性与高良率生产保障了批量应用中的可靠性，是中小功率电源设计中的优选器件之一。
4N60K-TC主要应用于各类需要高压开关功能的电力电子系统中。在AC-DC开关电源领域，它常作为主开关管用于反激式（Flyback）拓扑结构中，适用于手机充电器、笔记本电脑适配器、家电辅助电源等产品，能够在宽输入电压范围内实现高效能量转换。在LED恒流驱动电源中，4N60K-TC可用于隔离式驱动方案的初级侧开关，配合PWM控制器实现精准调光与稳定输出。此外，该器件也适用于小型太阳能微逆变器系统，作为DC-AC转换环节中的关键开关元件，帮助实现光伏板输出的并网或本地供电。在工业控制领域，4N60K-TC可用于电机驱动电路中的功率开关，特别是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动中发挥重要作用。其高耐压特性也使其适合用于高压发生器、静电除尘、离子风机等特殊工业设备中。在UPS不间断电源和离线式备用电源系统中，4N60K-TC可作为DC-DC升压或逆变级的核心开关器件，确保在市电中断时迅速切换并维持负载供电。此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块，或作为电子负载中的功率耗散元件。得益于其封装成熟、成本低廉且性能稳定，4N60K-TC在消费类、工业类及部分通信电源设备中均有广泛应用。
KIA4N60F, FQP6N60, STP3NK60ZFP, IRFBC40
