类型：光电晶体管输出光耦
　　封装形式：DIP-4
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：6 V
　　输出耐压（VCEO）：600 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　功耗（PD）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　最大隔离电压（Viso）：5300 VRMS
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　上升/下降时间：3 μs / 3 μs

4N60G光耦的核心特性之一是其高达600V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），这使得它非常适合用于高电压开关电路中，尤其是在离线式开关电源设计中作为反馈环节使用。这一高耐压能力可以有效防止因瞬态过电压或负载突变引起的器件击穿，提升系统的可靠性和安全性。同时，其输出端采用硅光敏三极管结构，具备良好的线性响应特性和稳定的增益表现，在不同工作条件下仍能保持较高的信号传输精度。
　　另一个显著特点是其优异的电气隔离性能，最大隔离电压可达5300 VRMS，满足IEC/EN/DIN EN 60747-5-2标准要求，确保输入侧与输出侧之间实现完全的电绝缘，有效抑制共模噪声和地环路干扰，提高系统抗干扰能力。这对于医疗设备、工业自动化控制系统以及需要高安全等级的应用尤为重要。
　　4N60G还具备合理的电流传输比（CTR），典型值为50%至600%，意味着在输入LED驱动电流较小的情况下也能获得足够的输出电流，从而降低驱动电路功耗并简化外围设计。尽管CTR会随温度升高而有所下降，但在正常工作范围内仍能维持可接受的性能水平。此外，其响应速度适中，上升和下降时间均为3微秒左右，足以应对大多数中低频信号隔离需求，如PWM信号传输、逻辑电平转换等。
　　该器件采用DIP-4封装，便于手工焊接和自动化装配，且引脚间距符合标准PCB布局要求，有利于散热和电气性能优化。整体结构紧凑，体积小，适合空间受限的设计场景。同时，4N60G通过了多项国际安全认证，包括UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5等，证明其在长期运行中的稳定性和安全性。这些综合特性使其成为工业电源、电机驱动、电池管理系统等领域中广泛采用的基础隔离元件。

4N60G广泛应用于需要电气隔离的各类电子系统中。最常见的用途是在开关电源（SMPS）中作为反馈元件，连接次级侧的误差放大器（如TL431）与初级侧的控制器（如UC3842、OB2263等），通过光耦将输出电压的变化信息传递到初级侧，从而实现闭环稳压控制。由于其高耐压特性，特别适用于输出电压较高或存在较大电压波动的电源设计。
　　在逆变器和变频器系统中，4N60G可用于隔离控制信号与功率桥臂驱动电路，防止高压侧对低压控制电路造成干扰或损坏。例如，在IGBT或MOSFET的栅极驱动前级中，利用光耦进行信号隔离，保障主控MCU的安全。
　　此外，该器件也常用于工业PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块、数据采集系统中的数字信号隔离，实现不同电位之间的安全通信。在电机控制系统、伺服驱动器、UPS不间断电源、充电桩等设备中也有广泛应用。
　　由于其良好的抗电磁干扰能力和稳定性，4N60G还可用于医疗电子设备中的信号隔离环节，满足严格的电气安全标准。同时，在智能电表、电池管理BMS系统中，用于隔离计量单元与通信接口，避免高压窜入导致数据丢失或设备故障。总之，凡是涉及高低压混合供电、远距离信号传输或存在噪声干扰风险的场合，4N60G都是一种经济且可靠的隔离解决方案。

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