4N60F 时间：2025/8/14 16:56:29 阅读：13

4N60F是一款常用的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率开关、电源管理、电机控制、DC-AC转换等领域。该器件采用N沟道结构，具备较高的电压和电流承受能力，适用于中高功率的电子系统设计。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：3.5A
　　导通电阻(Rds(on))：2.5Ω（典型值）
　　功耗(Pd)：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

特性

4N60F具备优良的开关特性和稳定的导通性能，适用于高频和中高功率应用场景。
　　其主要特性包括高耐压能力（600V漏源击穿电压），能够承受较高的电压应力，适用于多种功率转换系统。
　　导通电阻较低（典型值为2.5Ω），可减少导通损耗，提高系统效率。
　　该器件具有良好的热稳定性和散热性能，确保在较高功率条件下仍能保持稳定运行。
　　4N60F还具有较高的抗干扰能力，能够在较恶劣的工作环境中保持良好的工作状态。
　　此外，该MOSFET具备良好的短路和过载保护能力，有助于提升系统的可靠性和寿命。

应用

4N60F主要用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、LED照明驱动、充电器、家电控制模块等。
　　在开关电源中，4N60F常用于功率开关管，负责能量的高效转换与调节。
　　在逆变器系统中，该器件可作为主开关器件，用于将直流电转换为交流电。
　　在电机驱动应用中，4N60F可用于控制电机的启停与调速，适用于小功率直流电机或步进电机的驱动。
　　此外，该器件也广泛应用于LED恒流驱动、电池充放电管理、工业自动化控制等领域。