漏源电压 Vds：600V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　漏极电流 Id（连续）：4A
　　漏极峰值电流 Idm：16A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值为2.5Ω，最大值为3.0Ω
　　功耗 Pd：45W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）

4N60 MOSFET具有多个关键性能优势，首先其600V的漏源击穿电压（Vds）使其适用于高压开关电路，如AC/DC电源和马达驱动系统。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　此外，4N60具有良好的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定工作，适应工业环境中的严苛条件。该器件还具备较高的抗雪崩能力，增强了在瞬态过电压情况下的可靠性。
　　由于其封装形式（TO-220或TO-252）便于散热和安装，4N60适用于多种PCB布局设计。同时，其±30V的栅源电压容限提供了良好的栅极驱动兼容性，支持多种驱动电路配置。
　　总体而言，4N60是一款性价比高、可靠性强的功率MOSFET，适用于各种中高功率开关应用场合。

4N60广泛应用于多种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC/DC适配器、DC/DC转换器、逆变器、UPS不间断电源、电机控制器、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统。在电源管理模块中，4N60作为主开关元件，负责高效的能量转换与控制。
　　例如，在开关电源中，4N60被用于主功率开关电路，实现高效率的电能转换；在电机驱动系统中，它可用于PWM控制，调节电机转速和方向；在LED照明驱动器中，该器件可作为DC-DC升压或降压电路的开关元件，实现恒流驱动。
　　此外，4N60也常用于电池充电器、电焊机、感应加热设备和光伏逆变器等高可靠性应用场景中。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，因此在各种恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。

FQP4N60、STP4NK60Z、IRF740、2SK2141、4N90