4N55TXVB 时间：2025/9/23 19:38:10 阅读：7

4N55TXVB是一款光耦合器（光电耦合器），广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件由一个发光二极管（LED）和一个光电晶体管组成，封装在一个6引脚的DIP（双列直插式）封装内。其主要功能是通过光信号在输入和输出之间传输电信号，从而实现输入与输出之间的电气隔离，防止噪声干扰和高压窜入低压控制电路。4N55TXVB中的“4N55”代表其基本型号，而“TXVB”通常表示特定的制造商或包装/批次代码，但在大多数情况下，其电气特性与标准4N55一致。该光耦合器适用于多种工业、通信和电源控制应用，具有较高的可靠性与稳定性。由于其结构简单、成本低且易于集成，4N55TXVB常用于开关电源、信号隔离、电平转换、微控制器接口保护等场景。需要注意的是，不同厂家生产的4N55可能存在细微参数差异，因此在设计时应参考具体厂商的数据手册以确保兼容性与性能要求。

参数

类型：光电晶体管输出光耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：典型值1.7V，最大值2.0V（@ IF=10mA）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7V
　　集电极电流（IC）：最大150mA
　　功耗（PD）：200mW（总）
　　电流传输比（CTR）：最小20%，典型值50%（@ IF=10mA, VCE=5V）
　　上升时间（tr）：典型值5μs
　　下降时间（tf）：典型值100μs
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　绝缘电压（Viso）：5000VRMS（1分钟）

特性

4N55TXVB具备良好的电气隔离性能，能够在高噪声或高压环境中稳定工作。其核心优势之一是实现了输入侧与输出侧之间的完全电气隔离，有效防止了地环路干扰以及高压对敏感控制电路的损害。该器件采用GaAs红外LED与硅光电晶体管组合，确保了较长的使用寿命和稳定的光电转换效率。电流传输比（CTR）在正常工作条件下可达到50%左右，意味着当输入LED驱动电流为10mA时，输出端可提供约5mA的集电极电流，足以驱动小型继电器或逻辑电路。尽管其响应速度相对较慢（尤其是下降时间高达100μs），但这对于大多数开关电源反馈回路、直流信号隔离或低频控制应用来说已经足够。
　　另一个重要特性是其高绝缘电压能力，可达5000VRMS，符合UL、CSA等安全认证标准，适合用于医疗设备、工业控制系统等对安全性要求较高的场合。此外，该器件的工作温度范围宽广，从-55°C到+100°C，使其能在恶劣环境条件下可靠运行。封装形式为标准6引脚DIP，便于手工焊接和自动化装配，兼容通孔安装工艺。虽然现代高速光耦已采用更快的光敏结构（如光达林顿或高速逻辑输出），但4N55TXVB凭借其成本效益和通用性，在许多传统设计中仍被广泛采用。值得注意的是，由于使用的是光电晶体管而非达林顿结构，其增益较低，响应速度优于达林顿型光耦，但驱动能力有限，不适合需要大输出电流的应用场景。

应用

4N55TXVB广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈控制回路，用于将次级侧的电压调节信号传送到初级侧控制器，同时保持高低压之间的隔离。在工业自动化领域，它可用于PLC输入模块的信号隔离，防止现场传感器引入的瞬态电压损坏中央处理单元。在电机控制电路中，该光耦可用于隔离微控制器与功率驱动部分（如MOSFET或IGBT栅极驱动器），提升系统的抗干扰能力和安全性。此外，它也常用于通信接口的电平转换与隔离，例如RS-232或RS-485线路中，避免不同设备间的地电位差引起的问题。
　　在测试测量仪器中，4N55TXVB可用于隔离模拟或数字信号路径，提高测量精度。家用电器如洗衣机、空调等的控制板也可能采用此类光耦来实现主控芯片与强电部分的隔离。由于其具备一定的负载驱动能力，还可直接用于驱动小功率继电器或指示灯。在嵌入式系统开发中，工程师常用4N55TXVB作为学习和原型设计的基础元件，理解光电隔离原理及其实际布线注意事项。此外，该器件也可用于音频设备中抑制接地噪声，或在电源监控电路中实现过压/欠压检测信号的隔离传输。总之，凡是涉及高低压共存、抗干扰要求高或需增强系统安全性的场合，4N55TXVB都是一种经济实用的选择。