类型：晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：典型值1.7V，最大值2.0V（在IF=10mA时）
　　输入反向电压：5V
　　输出集电极-发射极耐压（VCEO）：300V
　　输出饱和电压（VCE(sat)）：≤0.4V（典型条件）
　　电流传输比（CTR）：15%～100%（在IF=10mA，VCE=5V时）
　　集电极电流（IC）：最大50mA
　　功耗（总）：200mW
　　隔离电压：5000VRMS
　　响应时间：上升时间/下降时间各约10μs
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：6-DIP（Dual In-line Package）

4N55-MSD光耦合器具有优异的电气隔离性能，能够在高噪声或高电压环境中稳定工作，保障控制侧与负载侧之间的安全隔离。其内部采用红外LED与NPN光电晶体管的组合结构，实现了高效的光电转换过程。当输入端施加适当电流驱动LED发光时，光线照射到光电晶体管基区，产生光电流并使其导通，从而在输出端形成电流输出。这种非接触式的信号传输方式避免了传统机械继电器的磨损问题，提高了系统的可靠性和寿命。该器件的关键优势之一是高达300V的集电极-发射极耐压能力，使其非常适合用于交流电源控制或高压开关电路中，例如驱动SCR、TRIAC或作为反馈元件在开关电源中使用。同时，其5000VRMS的隔离电压确保了即使在高压瞬态冲击下也能维持良好的绝缘性能。
　　另一个显著特点是其适中的电流传输比（CTR），虽然不如某些专用低功耗光耦高，但足以满足大多数通用隔离需求。CTR范围为15%～100%，意味着在输入10mA驱动电流下，可获得1.5mA至10mA的输出电流，足够驱动小型继电器或逻辑电路。此外，该器件响应速度较快，典型开关时间为几微秒到十几微秒级别，适用于中频信号传输场合。尽管不适用于高速数字通信（如USB或SPI隔离），但在工业控制、电源反馈、电机驱动等对速度要求不高的应用中表现良好。封装采用标准6引脚DIP，便于手工焊接和PCB布局，并支持通孔安装，增强了机械稳定性。整体而言，4N55-MSD是一款成熟、稳定、性价比高的通用型光耦，在多种工业和消费类电子产品中得到长期验证和广泛应用。

4N55-MSD广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关电源的反馈回路设计，其中它用于将次级侧的电压调节信号传递给初级侧控制器（如UC3842等PWM控制器），实现闭环稳压的同时保持高低压间的绝缘。在交流固态继电器（SSR）中，该光耦可用于触发TRIAC或SCR，实现无触点开关控制，提高系统寿命和抗干扰能力。此外，在微控制器与外部高功率设备（如电机、加热器、电磁阀）之间构建隔离接口时，4N55-MSD能有效防止外部干扰影响MCU正常运行。工业自动化控制系统中也常用此类光耦进行信号电平转换与隔离，特别是在PLC输入模块、传感器信号调理电路中。另外，由于其较高的输出耐压能力，也可用于电话线路接口、电源相位检测、过零检测电路等特殊场合。测试测量仪器中同样会采用4N55-MSD来隔离敏感模拟前端与数字处理单元，减少共模噪声影响。总之，凡是涉及低压控制与高压执行部分交互的场景，都是4N55-MSD的典型应用领域。

MCT2E, PC817, TLP521-1, H11AA1, EL357