时间：2025/9/16 7:29:35
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4N55/883B是一款高性能的光耦合器（光电隔离器），广泛应用于需要电气隔离和信号传输的电路中。该器件由一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管（LED）和一个硅光电晶体管组成，能够提供高效的光电转换和良好的隔离性能。作为符合MIL-PRF-38534标准的高可靠性器件，4N55/883B通常用于军事、航空航天及高要求的工业控制系统中。
类型：光耦合器（光电晶体管输出）
输入：GaAs红外LED
输出：硅光电晶体管
电流传输比（CTR）：50% - 600%（IF=5mA，VCE=5V）
最大输入电流：100mA
最大集电极电压：30V
最大集电极功耗：150mW
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装类型：6引脚陶瓷双列直插（DIP）
绝缘耐压：2500VRMS（最小）
响应时间：3μs（典型值）
4N55/883B具备出色的电气隔离能力和稳定性，适用于严苛环境下的信号传输应用。其核心优势在于高可靠性与长寿命，得益于其采用的陶瓷封装和高质量的半导体材料，能够在极端温度和振动条件下保持稳定工作。
该器件的电流传输比（CTR）范围较宽，允许设计人员根据具体需求选择适当的驱动电流以优化性能。此外，4N55/883B具有较高的绝缘耐压能力，可有效防止高压干扰和电气故障对系统的影响，确保电路的安全运行。
在动态性能方面，4N55/883B的响应时间较短，适合用于中速信号隔离场合，如数字通信、开关电源控制和传感器信号隔离等。其低暗电流特性也使得在无输入信号时输出端的漏电流极小，提高了系统的稳定性和精度。
4N55/883B还具有良好的抗电磁干扰（EMI）能力，适合在高频噪声较大的环境中使用。由于其光电晶体管输出端可直接驱动TTL或CMOS电路，因此可简化接口设计并减少外围元件数量。
4N55/883B常用于需要高可靠性和电气隔离的工业控制系统、电源管理模块、仪器仪表、通信设备以及军事和航空航天电子系统中。典型应用包括PLC输入/输出隔离、电机控制反馈、继电器驱动、数据采集系统信号隔离以及DC-DC转换器的反馈控制等。
H11A1B1M, 6N137, HCPL-2601, TLP521-4, PC817
