类型：光电晶体管输出光耦合器
　　封装形式：6-DIP
　　通道数：1
　　正向电压（VF）：典型值1.2V，最大值1.5V（IF=10mA）
　　反向电压（VR）：5V
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：50mA
　　功耗（PD）：150mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +100°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电压：5000VRMS
　　电流传输比（CTR）：20% ~ 600%（IF=10mA, VCE=5V）
　　上升时间（tr）：2μs（典型值）
　　下降时间（tf）：2μs（典型值）

4N50具备出色的电气隔离性能，其内部采用红外LED与光电晶体管的组合结构，在输入和输出之间提供了高达5000VRMS的隔离电压，有效防止了高压干扰或故障从一侧传递到另一侧，保障系统和操作人员的安全。这一特性使其非常适合应用于医疗设备、工业自动化控制系统以及电力监控系统等对安全性要求极高的场景。
　　该器件具有较宽的工作温度范围，可在-55°C至+100°C的环境中正常工作，表现出良好的热稳定性，能够在高温或低温环境下保持稳定的性能输出，适合部署于户外设备、工业炉控系统或严苛气候条件下的远程通信节点中。
　　4N50的电流传输比（CTR）范围非常宽，典型值为20%至600%，这意味着在不同的驱动电流条件下都能实现有效的信号放大与传输，提升了其在不同负载条件下的适应能力。同时，CTR的高线性度保证了模拟信号传输时的精度，可用于一些对线性响应有一定要求的应用场合。
　　响应速度快是4N50的另一重要优势，其上升时间和下降时间均为2微秒左右，能够满足大多数中速数字信号隔离的需求，例如在开关电源反馈回路、PWM信号隔离传输、微控制器与功率模块之间的信号耦合等方面表现优异。
　　此外，4N50采用标准6引脚DIP封装，便于手工焊接和自动化装配，兼容常见的PCB布局设计，且无需额外的偏置电路即可直接接入多数逻辑接口，简化了电路设计流程。其低输入驱动需求（仅需5~20mA即可充分点亮LED）也降低了前级驱动电路的设计难度，提高了整体系统的能效和可靠性。

4N50广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中。在开关电源中，它常被用作反馈回路中的隔离元件，将次级侧的电压采样信号传送到初级侧的PWM控制器，以实现稳定的电压调节，同时避免高压侧对低压控制电路的影响。
　　在工业自动化领域，4N50用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块中，作为传感器信号或执行器控制信号的隔离接口，防止现场电磁干扰或瞬态高压损坏核心控制单元。
　　在交流逆变器和电机驱动系统中，4N50可用于隔离微处理器发出的控制信号与高功率IGBT或MOSFET驱动电路，确保控制信号准确无误地传递，同时保护低压控制部分免受高压噪声影响。
　　通信接口中也常见4N50的身影，尤其是在RS-232、RS-485等串行通信线路中，用于隔离数据发送与接收端，提升系统的抗干扰能力和通信稳定性。
　　此外，4N50还可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、医疗电子设备以及测试测量仪器中，凡是需要在高低压电路之间传递信号并保持隔离的地方，都是其发挥优势的舞台。

MCT2E,MOC8101,PC817,EL817