封装类型：6 引脚 DIP
　　输入类型：红外 LED
　　输出类型：达林顿晶体管
　　电流传输比（CTR）：100%～600%（典型值）
　　正向电压（VF）：1.2 V～1.4 V（典型值 1.3 V）
　　集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　集电极电流（IC）：150 mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　隔离电压：5300 VRMS
　　响应时间（典型值）：50 μs（开启），150 μs（关闭）

4N39R 光电耦合器的核心优势在于其高性能的电气隔离能力和稳定的达林顿输出结构。其隔离电压高达 5300 VRMS，确保在高压环境下依然能够提供可靠的信号隔离。该器件的电流传输比（CTR）范围为 100%～600%，意味着其具有较高的信号传输效率，能够确保输入信号在较低的 LED 驱动电流下仍然可以有效驱动输出晶体管。此外，4N39R 采用达林顿晶体管结构，具有较高的电流增益，使其在需要驱动较大负载的应用中表现出色。
　　4N39R 的响应时间相对较快，开启时间为 50 μs，关闭时间为 150 μs，适用于中速信号隔离应用。其封装形式为 6 引脚 DIP，便于在 PCB 上安装和使用。该器件的工作温度范围宽，从 -55°C 到 +100°C，适应工业级应用的需求。4N39R 的 LED 驱动电压较低，通常在 1.2 V 到 1.4 V 之间，工作电流一般为 10 mA 左右，使其在低功耗系统中也具有良好的表现。
　　由于其出色的隔离性能和稳定的输出特性，4N39R 被广泛用于工业自动化设备、交流电源控制、继电器驱动、信号隔离器和通信接口电路中。它能够有效防止地环路干扰，并保护敏感电路免受高电压和电流的影响。

4N39R 主要应用于需要电气隔离的电子系统中，如工业控制系统的输入/输出接口、电机驱动电路、PLC（可编程逻辑控制器）模块、交流电源开关控制、继电器驱动电路、传感器信号隔离以及通信设备中的电平转换等。该器件特别适合用于驱动小型继电器或晶体管，作为高电压或高电流负载的隔离控制元件。在电力电子系统中，4N39R 可用于将控制电路与主电路隔离，以提高系统的安全性和可靠性。

4N39, 4N35R, 4N35, 4N37