封装类型：DIP-6
　　工作温度范围：-55°C至+100°C
　　最大工作电压：30V（集电极-发射极）
　　最大工作电流：150mA（集电极电流）
　　电流传输比（CTR）：20%-400%（典型值为100%）
　　输入正向电压（VF）：1.2V至1.4V（IF=10mA时）
　　输出漏电流：100nA（最大）
　　响应时间：约3μs（上升时间），约3μs（下降时间）
　　隔离电压：5000VRMS（最小）

4N35A2的核心优势在于其优异的电气隔离性能和稳定的信号传输能力。其内部的红外LED与光电晶体管之间的耦合效率较高，能够在较低的输入电流下实现有效的信号传输。电流传输比（CTR）的范围较宽，使其能够适应不同的电路设计需求。此外，该器件具有良好的线性度，适用于模拟信号和数字信号的隔离传输。4N35A2的封装设计紧凑，便于在印刷电路板（PCB）上安装，并且具有较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。由于其高隔离电压（5000VRMS），4N35A2可以有效防止高压对低压电路的干扰，保障系统的安全性和可靠性。此外，该器件的工作温度范围较宽，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。

4N35A2光电耦合器广泛应用于需要电气隔离的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动电路和传感器信号隔离电路中，以保护控制系统免受外部高压或噪声的干扰。在电源管理方面，4N35A2可用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中，作为反馈信号的隔离元件，确保电源系统的稳定性和安全性。此外，在通信设备中，4N35A2可用于隔离不同的电路模块，防止地环路干扰，提高通信质量。它也常用于家电产品，如变频空调、洗衣机和电磁炉中，用于隔离控制电路与功率电路，提升设备的安全性和抗干扰能力。在测试仪器和医疗设备中，4N35A2也广泛用于信号隔离和数据传输。

TLP521-4, PC817, 6N137