类型：线性光耦合器
　　发光源：GaAs LED
　　探测器类型：硅光电晶体管
　　电流传输比（CTR）：100%～300%（If=10mA，VCE=5V）
　　最大正向电流（If）：50mA
　　最大反向电压（VR）：3V
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大功耗：100mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　封装类型：6-DIP（0.400"，10.16mm）
　　安装类型：通孔

4N33M-V 具备出色的线性性能，适合用于需要高精度模拟信号传输的应用场景。其核心特性之一是具备较高的电流传输比（CTR），通常在 100% 到 300% 之间，这使得该光耦能够在低输入电流条件下依然提供可靠的输出响应。此外，其内部光电晶体管的设计确保了良好的温度稳定性和长期可靠性。
　　该器件的封装设计便于在 PCB 板上安装，同时提供良好的电气隔离能力，其绝缘电压可达 5000VRMS（1 分钟测试条件下），适用于对电气安全要求较高的工业设备。4N33M-V 还具备较强的抗干扰能力，能够在存在电磁干扰的工业环境中稳定工作。
　　由于其线性特性，4N33M-V 常被用于模拟信号的隔离和反馈控制，例如在开关电源的电压反馈环路中，用于隔离初级与次级电路，确保系统安全与稳定性。此外，其工作温度范围宽广，可在 -55°C 至 +100°C 的环境下稳定运行，适用于恶劣工业环境。

4N33M-V 主要应用于需要隔离模拟信号的场合，包括但不限于以下领域：
　　工业自动化控制：如 PLC 模拟输入/输出隔离、传感器信号隔离等。
　　电源管理系统：用于隔离反馈信号，如开关电源、DC-DC 转换器的电压或电流反馈回路。
　　医疗设备：在需要高精度信号隔离的医疗监测设备中，确保患者与设备之间的电气安全。
　　测试与测量设备：用于隔离测量信号，防止干扰和损坏测试电路。
　　通信设备：在模拟信号接口中实现电气隔离，提高系统的抗干扰能力和安全性。

4N33, 6N138, HCNR201, IL300