类型：光耦合器（光电三极管输出）
　　电流传输比（CTR）：20% - 400%
　　正向电压（VF）：1.2V @ 10mA
　　集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　工作温度范围：-55°C ~ +100°C
　　封装形式：6引脚DIP（双列直插封装）

4N25360E 具有多个关键特性，确保其在各种电气隔离应用中的可靠性和高效性。首先，其高电流传输比（CTR）范围为20%至400%，意味着该器件在不同电流条件下都能保持良好的信号传递效率，适用于多种驱动电路。其次，该光耦采用红外LED与硅光电晶体管的组合，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能，适用于工业级温度要求。此外，4N25360E 的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流可达150mA，使其适用于中等功率的开关和隔离应用。其6引脚DIP封装设计便于安装和焊接，适用于PCB电路板的自动装配流程。该器件还具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力，适用于复杂电磁环境下的应用，如工业控制系统、继电器驱动和电机控制等场景。
　　4N25360E 还具有较长的使用寿命和高可靠性，通常用于需要长期稳定运行的设备中。例如，在电源转换系统中，它可作为反馈信号隔离器，确保主控电路与高压侧之间的安全隔离；在通信系统中，它可用于隔离不同电位的电路，防止地环路干扰。此外，该器件的响应时间较快，适合用于数字信号隔离，能够满足多种高速控制应用的需求。

4N25360E 主要应用于需要电气隔离的电子电路中。常见应用包括工业自动化控制系统的信号隔离、电源转换器的反馈回路隔离、电机驱动器和继电器控制电路、通信设备的接口隔离等。在电力电子系统中，该器件常用于将控制电路与高压功率器件（如MOSFET或IGBT）隔离，以提高系统的安全性和稳定性。此外，它也广泛应用于家电控制板、仪器仪表、安防设备和工业传感器等场景，确保信号在传输过程中不受干扰，并防止高压侧对低压控制电路造成损害。

4N35, 4N26, 4N27, PC817