时间：2025/9/8 16:58:36
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4MS7470M8X7 是一款由4M公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度存储器件，广泛应用于需要较大内存容量和较高数据处理速度的电子设备中。该芯片具有标准的TSOP（薄型小外形封装）形式，适用于多种嵌入式系统、工业控制设备和消费电子产品。
类型：DRAM
容量：64Mbit
组织结构：8M x 8
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
4MS7470M8X7 具有低功耗设计，适用于对能耗敏感的应用场景，如便携式设备和嵌入式系统。其高速访问时间为5.4ns，确保了快速的数据读写性能，提高了系统整体响应速度。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于延长数据保存时间并降低功耗。
该器件采用CMOS工艺制造，具有较高的可靠性和稳定性，并且在宽电压范围内工作（2.3V至3.6V），适用于不同电源管理需求的系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行。
TSOP封装形式使得该芯片在PCB布局中占用空间较小，有利于提高电路板的集成度。此外，4MS7470M8X7符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
4MS7470M8X7 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备以及消费类电子产品。例如，在工业计算机和数据采集系统中，该芯片可用于扩展主控单元的内存容量；在网络路由器和交换机中，它能够提供高速缓存存储，提高数据处理效率；在数码相机和多媒体播放器等消费电子设备中，它也常被用作临时存储器来缓存图像或视频数据。
IS42S16800B-6T、CY7C1041CV33-10ZS、A640BN16N
