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4GBL02 发布时间 时间:2025/12/26 21:17:17 查看 阅读:20

4GBL02是一款由Giantec Semiconductor推出的串行NOR Flash存储器芯片,广泛应用于需要高可靠性和中等存储容量的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅技术制造,具有高性能、低功耗和高耐久性等特点,适用于多种消费类电子、工业控制和通信设备。4GBL02提供标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口,支持单线、双线、四线I/O模式,能够满足不同系统对数据传输速率的要求。其封装形式通常为SOP8或WSON8,便于在空间受限的应用场景中使用。
  该芯片的工作电压范围一般为2.7V至3.6V,兼容主流微控制器的供电需求,并具备多种节能模式,包括深度掉电模式,以降低待机功耗。4GBL02内部组织结构为512Mbit(即64MB),分为多个可独立擦除的扇区,支持灵活的数据管理。此外,它还集成了写保护功能、状态寄存器保护机制以及上电复位电路,确保在异常断电情况下仍能保持数据完整性。通过JEDEC标准引脚定义和协议兼容设计,4GBL02可轻松替代市场上其他品牌同类型产品,提升系统设计的通用性和供应链灵活性。

参数

型号:4GBL02
  厂商:Giantec Semiconductor
  存储容量:512 Mbit (64 MB)
  接口类型:SPI (支持Single/Dual/Quad I/O)
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  时钟频率:最高支持104MHz
  封装形式:SOP8-150mil / WSON8
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  编程/擦除耐久性:100,000次典型值
  数据保存时间:10年@85°C
  支持指令集:Read, Fast Read, Dual Output Read, Quad I/O Read, Write Enable, Sector Erase, Chip Erase, Write Status Register, Read Status Register 等
  支持安全特性:软件写保护、状态寄存器锁定、深度掉电模式

特性

4GBL02具备出色的读写性能与稳定性,支持高速四线I/O模式下的连续读取操作,在104MHz时钟频率下可实现高达416Mbps的有效数据吞吐率,显著提升系统启动速度和固件加载效率。该芯片内部采用高效的命令协议架构,支持多种读取模式,包括标准SPI读取、快速读取、双输出读取及四通道IO读取,用户可根据实际应用需求选择最优工作模式以平衡性能与信号完整性。其状态寄存器提供了对写使能锁存、块保护位和非易失性设置的精细控制,允许开发者对特定存储区域实施写保护,防止误擦写关键代码或配置数据。
  在可靠性方面,4GBL02经过严格的老化测试和工艺优化,确保在宽温范围内长期稳定运行。器件支持按扇区(4KB)、块(64KB)和整片擦除操作,配合页编程功能(最大256字节/页),实现高效的小数据量更新。同时,内置的上电复位电路保证了每次上电后状态机处于已知安全状态,避免因电源波动导致的异常行为。深度掉电模式下电流消耗可低至1μA以下,非常适合电池供电或绿色节能型设备使用。所有操作均遵循JEDEC JESD21-C标准定义的时序规范,具备良好的互操作性。此外,该芯片还通过了RoHS环保认证,符合现代电子产品对无铅焊接和环境友好材料的要求,适用于全球范围内的批量生产和出口应用。

应用

4GBL02广泛用于需要存储程序代码、配置参数或用户数据的嵌入式系统中,典型应用场景包括Wi-Fi模组、蓝牙模块、IoT终端设备、智能家居控制器、工业PLC、车载信息娱乐系统、安防监控摄像头以及条码扫描器等。由于其支持XIP(eXecute In Place)特性,处理器可直接从Flash中执行代码而无需将整个固件加载到RAM,从而节省系统内存资源并加快启动过程,因此特别适合资源受限的MCU平台如基于ARM Cortex-M系列的微控制器。在消费类电子产品中,该芯片常被用于存储Bootloader、操作系统镜像、字体库或音频资源;在工业领域,则可用于记录设备运行日志、校准数据或远程升级固件。此外,凭借其小尺寸封装和高抗干扰能力,4GBL02也适用于PCB空间紧张且电磁环境复杂的高密度电路板设计。对于需要长期数据保存和频繁固件更新的产品而言,4GBL02提供了可靠的非易失性存储解决方案,并可通过AEC-Q100等车规级认证版本拓展至汽车电子应用领域。

替代型号

W25Q64JVSSIQ
  MX25L6433FZNI-08G
  EN25Q64-100HIP

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