类型：N 沲道 MOSFET
　　漏极-源极电压 (Vds)：20V
　　栅极-源极电压 (Vgs)：±12V
　　漏极电流 (Id)：6.9A
　　导通电阻 (Rds(on))：33mΩ @ Vgs = 4.5V
　　导通电阻 (Rds(on))：27mΩ @ Vgs = 10V
　　功耗 (Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP

481EEN 具备多个重要特性，使其在各种功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下器件的功耗较低，从而提高了整体系统效率。其次，481EEN 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 和 10V 的工作条件，这使其在不同设计中具有更高的灵活性。
　　此外，该 MOSFET 使用了先进的沟槽结构技术，进一步优化了电性能，包括更高的电流密度和更低的开关损耗。这种设计也提升了器件在高频操作中的表现，适用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中的电源管理模块。
　　481EEN 采用 TSOP 封装，具有良好的散热性能，能够在高功率密度设计中保持稳定的工作温度。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于严苛环境下的应用，例如工业控制系统和汽车电子设备。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，进一步增强了其在高可靠性要求场合的适用性。

481EEN 主要应用于需要高效功率控制的场合。常见的应用包括电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制器、电池保护电路以及便携式电子设备中的电源管理模块。
　　在电源管理系统中，481EEN 可用于高效调节电压和电流，确保系统在不同负载条件下的稳定运行。其低导通电阻和高电流能力使其成为开关电源（SMPS）中的理想选择。此外，在负载开关设计中，该 MOSFET 可用于快速断开或连接负载，以提高能效并减少静态功耗。
　　在汽车电子领域，481EEN 可用于车身控制模块、LED 照明驱动器以及车载充电系统。其优异的热管理和高频特性使其能够在高负载环境下保持稳定运行。
　　工业自动化设备中，481EEN 可用于驱动继电器、电磁阀和小型马达。其快速开关特性和高耐压能力使其能够在工业控制系统中实现精确的功率控制。

Si2302DS, FDN340P, AO3400A