时间：2025/8/9 12:23:43
阅读：30
47N60S1是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。该器件采用先进的平面条形技术和工艺，具有良好的导通电阻和开关性能。其名称中的“47”表示在25℃时的最大导通电阻为47mΩ，“60”表示漏源极击穿电压为600V，“S1”通常表示特定制造商的型号标识。
漏源极电压(Vds)：600V
栅源极电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：47A
最大导通电阻(Rds(on))：47mΩ
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
47N60S1具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高效率。此外，它具备良好的热稳定性和高耐用性，能够在高温和高电流环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，适用于多种驱动电路设计，同时具备较高的dv/dt耐受能力，能够适应快速开关的应用需求。该器件还内置了防静电保护（ESD）功能，增强了器件的可靠性和安全性。
这款MOSFET的封装形式通常为TO-247或TO-3P，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。其开关特性（包括较低的开关损耗）使其非常适合应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等电力电子设备中。
47N60S1广泛应用于各种电力电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于消费类电子产品、汽车电子系统以及绿色能源解决方案中。
IRFZ48N, STP40NF10, FDPF47N60S1
