时间：2025/10/11 6:45:18
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46R-JMCS-G-TF(S)(LF)(SN) 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造。该器件设计用于高效率、高密度的电源管理应用，特别是在空间受限且需要低导通电阻和快速开关特性的场合。该型号封装在小型的 PowerPAK SC-70 封装中，具有极佳的热性能和电气性能，适合表面贴装工艺。器件符合 RoHS 标准，并采用无卤素（LF）和无铅（SN）环保材料制造，适用于现代绿色电子产品设计。46R-JMCS-G-TF(S)(LF)(SN) 的命名中，“46R”代表其导通电阻等级，“JMCS”表示产品系列，“G”为产品等级，“TF”代表 TrenchFET 技术，“S”表示 SC-70 封装，“(LF)”表示无卤素，“(SN)”表示无铅端接。这款 MOSFET 在便携式设备、电池管理系统、负载开关、DC-DC 转换器以及电机控制等应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：8.8A
脉冲漏极电流（IDM）：35A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：14mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：17mΩ
阈值电压（VGS(th)）@ID=250μA：1.0V ~ 2.0V
输入电容（Ciss）@VDS=15V：500pF
输出电容（Coss）@VDS=15V：190pF
反向恢复时间（trr）：15ns
栅极电荷（Qg）@VGS=10V：13nC
功耗（PD）@TA=25°C：1.25W
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerPAK SC-70
46R-JMCS-G-TF(S)(LF)(SN) 采用 Vishay 先进的 TrenchFET 技术，这种技术通过优化硅基沟道结构，显著降低了导通电阻 RDS(on)，同时提高了单位面积的电流承载能力。该器件在 VGS=10V 时的典型 RDS(on) 仅为 14mΩ，在 VGS=4.5V 时为 17mΩ，这使得它在低电压驱动条件下仍能保持优异的导通性能，非常适合由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。器件的低栅极电荷（Qg=13nC）和低输入电容（Ciss=500pF）使其具备出色的开关速度，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，其反向恢复时间 trr 仅为 15ns，表明体二极管具有快速恢复特性，有助于降低在感性负载切换或同步整流中的能量损耗。
该 MOSFET 的热性能经过优化，PowerPAK SC-70 封装具有极低的热阻（RθJA ≈ 100°C/W），可有效将芯片热量传导至 PCB，从而在紧凑空间内实现良好的散热效果。其最大连续漏极电流可达 8.8A（在 TA=25°C 下），脉冲电流高达 35A，展现出强大的瞬态负载处理能力。器件的阈值电压范围为 1.0V 至 2.0V，确保了可靠的开启控制，避免误触发。所有电气参数均在宽温度范围内进行了测试和验证，保证了在 -55°C 至 +150°C 的极端环境下的稳定运行。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，提升了在异常工况下的可靠性。由于其小型化封装和高性能特性，该器件广泛应用于对尺寸和效率要求严苛的现代电子设备中。
46R-JMCS-G-TF(S)(LF)(SN) 广泛应用于多种高效率电源管理场景。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于电池供电路径管理、负载开关和电源多路复用，其低导通电阻有助于延长电池续航时间。在 DC-DC 转换器拓扑中，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是 buck-boost 结构，该器件均可作为主开关或同步整流器使用，提升转换效率并减小整体方案尺寸。在电机驱动电路中，尤其是微型直流电机或步进电机控制中，该 MOSFET 可作为 H 桥中的开关元件，提供快速响应和低功耗运行。此外，它也适用于热插拔控制器、OR-ing 二极管替代、LED 驱动电路以及各种需要高速开关和低损耗的数字控制功率开关应用。由于其符合工业级和消费级环境要求，该器件在工业自动化传感器模块、通信设备电源模块以及汽车电子中的非动力系统中也有广泛应用。
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"Si2301ADS-T1-E3",
"AO3400",
"FDMN340P",
"BSS138"
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