4684EUB 时间：2025/7/24 14:53:18 阅读：6

4684EUB是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高功率密度的开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高电流能力和优良的热性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理和电池供电设备等场合。4684EUB的封装形式为TSOP，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（Id）：4.0A
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大45mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP

特性

4684EUB采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得该器件在同类产品中具备出色的导通性能和开关特性。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
　　该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TSOP封装设计不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适用于紧凑型电路设计。此外，4684EUB具备较高的栅极击穿电压（±20V），提高了在复杂电磁环境中的可靠性和抗干扰能力。
　　该器件的封装形式符合RoHS标准，适合现代环保电子产品的制造要求。同时，4684EUB在制造过程中采用了无卤素材料，符合国际电子产品的环保法规。

应用

4684EUB适用于多种电子设备和系统，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：用于提高转换效率和功率密度。
　　2. 电源管理系统：适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备的电源控制。
　　3. 负载开关：用于控制高电流负载的开关操作，如LED驱动和电机控制。
　　4. 电池供电设备：提供高效能和低功耗的电源管理解决方案。
　　5. 工业自动化设备：用于高可靠性要求的工业控制系统中。