时间：2025/7/23 21:37:56
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45N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率、高可靠性的功率转换电路中。该器件采用先进的平面技术，具备较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于各种电源管理与功率控制应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：45A
漏源导通电阻（Rds(on)）：约0.15Ω（典型值）
栅源电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247、TO-264等
45N60的主要特性包括低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。其低导通电阻特性使得该MOSFET在高电流应用中能够保持较低的功耗，从而提高整体效率。同时，该器件的高耐压能力确保了其在高压环境中运行的可靠性。
此外，45N60具备良好的开关性能，能够在高频条件下稳定工作，适用于开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器等高频功率转换电路。其热稳定性设计也确保了在高负载条件下不会因过热而损坏，延长了器件的使用寿命。
该MOSFET还具有较高的抗雪崩能力，能够承受一定的过电压冲击，适用于恶劣工作环境。其栅极驱动电路设计相对简单，易于集成到现有系统中。
45N60主要应用于各类电源管理系统中，包括开关电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、变频器以及电机控制电路。它还适用于工业自动化设备、电动汽车充电系统和家用电器中的功率控制模块。
IRF450、FDP45N60、STP45N60
