类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：45A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值约为20-30mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约2V至4V
　　功率耗散（PD）：约150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、TO-247等

45N100的主要特性包括其高电流承载能力和高电压阻断能力，使其适用于中高功率的开关应用。该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，45N100具备快速的开关特性，减少了开关损耗，并提高了系统的响应速度。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合要求苛刻的工业和汽车应用。其栅极驱动要求较低，能够与标准的逻辑电路兼容，从而简化了驱动电路的设计。45N100的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。
　　另外，该器件具有较高的耐用性和可靠性，在多次开关操作和极端工作条件下依然表现出色。其设计也考虑了短路保护和过热保护的兼容性，进一步增强了电路的稳定性和安全性。

45N100广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、负载开关、工业自动化控制系统以及汽车电子设备。在这些应用中，45N100主要作为高效的开关元件，负责控制电流的导通与截止，从而实现能量的高效传输和管理。
　　例如，在开关电源中，45N100用于高频开关操作，将输入的直流电压转换为所需的输出电压；在马达驱动器中，它用于控制马达的转速和方向；在电池管理系统中，则用于控制电池的充放电过程。此外，在太阳能逆变器和电动汽车的充电系统中，45N100也被广泛采用，以提高系统的效率和可靠性。

IRF3710, STP45NF10, FDP45N10