45N02是一种N沟道功率MOSFET,主要用于开关和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,适用于各种工业和消费类电子设备中的高效能电源管理场景。
这种MOSFET通常用于DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及逆变器等应用中,能够承受较高的电压,并提供高效的电流传输能力。
型号:45N02
类型:N沟道MOSFET
漏源极击穿电压(Vds):200V
栅源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):6mΩ(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):380W
工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
45N02是一款高性能的功率MOSFET,具备以下关键特性:
1. 高耐压能力:额定漏源极击穿电压为200V,能够在高压环境下稳定运行。
2. 大电流承载能力:连续漏极电流可达45A,适合大功率应用。
3. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为6mΩ,从而减少了传导损耗,提高了效率。
4. 快速开关性能:由于其内部结构优化,开关时间短,降低了开关损耗。
5. 热稳定性强:允许的工作结温范围为-55℃至+175℃,适应广泛的温度条件。
6. 低栅极电荷:有助于提高开关频率和减少驱动器功耗。
这些特性使45N02成为许多功率转换和控制电路的理想选择。
45N02广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、充电器和不间断电源(UPS)等。
2. DC-DC转换器:用于汽车电子、通信设备及工业自动化系统中的电压调节。
3. 电机驱动器:控制小型直流电机或步进电机的速度与方向。
4. 负载开关:实现电路的快速通断功能。
5. 逆变器:将直流电转换为交流电以供家用电器使用。
6. 续流二极管替代:利用其快速恢复特性和低损耗优势,取代传统二极管。
凭借其强大的性能和可靠性,45N02被广泛应用于消费电子、工业控制及新能源等领域。
IRFZ44N
STP45NF06
FDP047N06L
IXFK45N06P