44WR2KLFT7 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统能耗。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,支持高频开关操作,同时具备出色的热性能和可靠性,适用于多种工业及消费类电子设备。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:50A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关速度:30ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
44WR2KLFT7 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
4. 内置反向恢复二极管,简化电路设计并增强系统性能。
5. 稳定的工作温度范围,适应恶劣环境条件。
6. 小巧封装,节省 PCB 布局空间。
44WR2KLFT7 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电动工具、家用电器中的电机驱动控制。
3. DC-DC 转换器中的同步整流元件。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L