类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值约0.085Ω @ Vgs=10V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：44A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：176A
　　最大功耗（Ptot）：230W
　　导通延迟时间（td(on)）：约15ns
　　上升时间（tr）：约60ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约45ns
　　下降时间（tf）：约30ns
　　输入电容（Ciss）：约2000pF
　　输出电容（Coss）：约400pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：无（非体二极管主导应用）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-247、TO-220

44N50的核心优势在于其出色的电气性能与热管理能力。该器件采用了优化的平面栅极结构技术，使得在保持较高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗。这种低Rds(on)特性对于大电流应用场景至关重要，尤其是在持续负载运行条件下，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。
　　此外，44N50具有较高的栅极阈值电压（通常在3~5V之间），确保了在数字逻辑驱动信号下仍能实现可靠的完全导通，同时避免因噪声干扰导致误触发。其栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的能量较少，适合高频PWM控制场合，如开关电源中的硬开关拓扑（如反激、正激、半桥等）。
　　该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的自我保护，增强了系统可靠性。其寄生体二极管虽然存在，但恢复速度较慢，因此在需要快速续流的应用中建议外接肖特基二极管进行优化。
　　从热设计角度看，44N50的封装形式（如TO-247）具有较低的热阻（Rth(j-c)约0.5℃/W），配合适当的散热片可有效将结温控制在安全范围内，保障长期稳定运行。此外，器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
　　值得一提的是，44N50在制造过程中经过严格的测试流程，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等可靠性验证，确保其在恶劣环境下的长期稳定性。这些特性共同使44N50成为中高端功率变换应用中的理想选择。

44N50主要应用于需要高电压隔离与大电流切换能力的电力电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS），特别是离线式AC-DC适配器、服务器电源模块和工业电源单元，其中它常作为主开关管用于反激或正激拓扑结构，承担能量传递与电压调节功能。
　　在DC-DC转换器中，44N50可用于升压（Boost）、降压（Buck）或全桥/半桥拓扑中，尤其适用于输入电压较高（如48V系统）且输出功率较大的场景。其快速开关响应能力有助于提高转换效率并减小滤波元件体积。
　　此外，该器件也广泛用于电机驱动系统，例如小型变频器、直流无刷电机控制器和电动工具电源模块中，作为H桥电路中的功率开关元件，实现对电机转速与方向的精确控制。
　　在逆变器应用中，44N50可用于工频或高频逆变电路，将直流电转换为交流电，常见于太阳能微逆变器、UPS不间断电源和应急照明系统中。其高耐压特性可承受母线电压波动，而大电流能力则支持高负载输出。
　　其他应用还包括电焊机电源、感应加热设备、LED恒流驱动电源以及各种工业控制系统中的固态继电器（SSR）模块。由于其良好的鲁棒性和成本效益，44N50在中小功率段的工业与消费类电子产品中具有广泛的适用性。

IRF44N50, STP44N50, FQP44N50, KSE44N50