44245 时间：2025/12/27 17:51:09 阅读：12

44245是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路和负载切换等场景。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在低电压驱动条件下实现极低的导通电阻（RDS(on)），从而有效降低导通损耗并提高系统整体效率。44245的设计注重高性能与紧凑封装的结合，适用于对空间敏感且要求高效率的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及电池供电系统。其主要优势在于具备较高的电流承载能力与良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的工作性能。此外，该MOSFET支持快速开关操作，有助于减少开关损耗，特别适合用于DC-DC转换器、同步整流和电机控制等高频应用场合。由于其栅极电荷（Qg）较低，驱动电路设计更加简单，可与常见的逻辑电平信号直接接口，无需额外的电平转换电路。总体而言，44245凭借其优异的电气特性、小型化封装和高可靠性，成为现代高效能电源系统中不可或缺的关键元件之一。

参数

型号：Si44245DY-T1-E3
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30 V
　　最大连续漏极电流(ID)：18 A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：72 A
　　导通电阻(RDS(on))@10V VGS：4.5 mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@4.5V VGS：6.0 mΩ
　　阈值电压(VGS(th))：1.0 V ~ 2.5 V
　　栅极电荷(Qg)@10V VGS：13 nC
　　输入电容(Ciss)：900 pF
　　输出电容(Coss)：390 pF
　　反向恢复时间(trr)：18 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

特性

44245具有卓越的导通性能和开关特性，其核心优势体现在极低的导通电阻上。在VGS = 10V时，RDS(on)仅为4.5mΩ，而在更低的驱动电压4.5V下也能维持6.0mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于需要高效能量转换的应用，例如同步降压变换器或负载开关。这种低RDS(on)不仅减少了I2R导通损耗，还显著降低了器件温升，提高了系统的热稳定性和长期可靠性。得益于先进的TrenchFET工艺，该MOSFET实现了单位面积下更高的载流子迁移率，从而在小尺寸封装内提供出色的电流处理能力。其最大连续漏极电流可达18A，短时脉冲电流甚至达到72A，展现出强大的瞬态负载响应能力。
　　另一个关键特性是其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）。Qg仅为13nC（在VGS=10V时），意味着驱动电路所需的能量更少，有利于降低驱动损耗并提升整体能效。同时，低输入电容也有助于加快开关速度，缩短开通和关断时间，进一步减少开关过程中的能量损耗。这对于高频开关电源尤为重要，可以有效抑制电磁干扰（EMI）并提升功率密度。此外，该器件具备较宽的栅极阈值电压范围（1.0V~2.5V），确保了良好的工艺一致性与可靠的开启控制。
　　44245采用PowerPAK SO-8L封装，这是一种无引脚表面贴装封装，具有优异的散热性能和较小的占板面积。该封装去除了传统SO-8封装中因引线框架引起的寄生电感和电阻，提升了高频下的动态性能。底部裸露焊盘设计增强了从结到PCB的热传导路径，使器件在高功率密度应用中仍能保持较低的工作温度。该MOSFET符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其在严苛环境下的耐用性与可靠性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=18ns），可在桥式电路或续流路径中提供较好的性能表现，减少反向恢复带来的尖峰电压和功耗。综合来看，44245是一款集低导通损耗、高速开关、高电流能力和良好热管理于一体的高性能MOSFET，适用于各类对效率和空间有严格要求的现代电子系统。

应用

44245广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于同步降压转换器、DC-DC电源模块、电池管理系统（BMS）、热插拔控制器、负载开关、电机驱动电路以及便携式消费类电子产品中的电源分配单元。由于其低导通电阻和高电流能力，常被用作主开关管或同步整流管以提高转换效率。在笔记本电脑和移动设备中，它可用于CPU供电VRM（电压调节模块）或多路电源轨切换。此外，因其具备良好的热稳定性和紧凑封装，也适用于工业控制、电信设备和汽车电子中的低压大电流开关应用。