型号：42CTQ030STRLPBF
　　类型：中心抽头肖特基整流二极管阵列
　　技术：Trench MOS Barrier Schottky (TMBS)
　　封装：TO-220AC
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：42A
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：300A
　　最大正向电压（VF）：0.57V @ 21A, 125°C
　　最大反向漏电流（IR）：2.0mA @ 25°C, 30V；8.0mA @ 125°C, 30V
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻结到壳（RθJC）：1.2 K/W
　　安装扭矩：0.7 N·m ± 0.1 N·m

42CTQ030STRLPBF的核心优势在于其采用了先进的Trench MOS Barrier Schottky（TMBS）技术，这种结构通过在硅片上刻蚀深沟槽并形成金属-半导体势垒，显著降低了传统肖特基二极管的漏电流问题，同时维持了极低的正向导通压降。这使得器件在大电流工作条件下仍能保持高效率，减少功率损耗和发热。其软恢复特性意味着在反向恢复过程中，电流衰减平缓，不会产生剧烈的电流振荡或电压尖峰，从而有效抑制电磁干扰（EMI），这对高频开关电源尤为重要。
　　该器件的中心抽头拓扑结构非常适合全波整流应用，尤其在低压输出（如12V、5V或3.3V）的同步整流拓扑中表现出色。相比分立二极管方案，集成式中心抽头设计减少了元件数量，简化了PCB布局，并提高了系统的可靠性和装配效率。此外，TO-220AC封装具备良好的热传导能力，可通过外接散热器将热量迅速导出，确保长时间高负载运行下的稳定性。
　　42CTQ030STRLPBF的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，使其可在极端环境温度下稳定工作，适用于工业控制、通信电源、新能源汽车车载充电机等严苛应用场景。其高达300A的非重复浪涌电流能力也赋予了它出色的抗瞬态冲击能力，能够在启动或短路瞬间承受较大的电流冲击而不损坏。Vishay还针对该器件提供了完整热模型和SPICE仿真模型，便于设计人员在前期进行精确的电路仿真与热分析，缩短开发周期。

42CTQ030STRLPBF广泛应用于需要高效、低压大电流整流的电力电子系统中。典型用途包括服务器和电信设备中的高密度DC/DC转换器，尤其是在副边同步整流环节中替代传统MOSFET驱动复杂方案，实现更简单的拓扑结构和更高的转换效率。它也被用于工业电源、UPS不间断电源、焊接设备以及太阳能逆变器中的整流模块。
　　在电动汽车领域，该器件可用于车载充电机（OBC）和DC/DC变换器中，处理来自高压电池组的低压大电流输出，满足新能源汽车对能效和空间紧凑性的双重需求。此外，在高性能计算设备和数据中心电源系统中，42CTQ030STRLPBF凭借其低VF和低EMI特性，有助于降低整体功耗并提升系统稳定性。
　　由于其优异的热性能和可靠性，该器件同样适用于户外通信基站电源、铁路牵引系统辅助电源以及医疗设备供电单元等对长期运行可靠性要求极高的场合。在这些应用中，器件不仅需承受频繁的热循环应力，还需在高湿度、高海拔或强振动环境中保持性能稳定，而42CTQ030STRLPBF的设计正是为此类挑战量身定制。

CT42C30TRLPBF
　　VS-42CTQ030-M3
　　STPS40L30CT
　　MBR4030CT