时间：2025/9/8 17:52:41
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420AXW68M16X35 是一款由 Rochester Electronics 生产的高性能 SRAM（静态随机存取存储器）模块。这款SRAM模块采用标准的DIMM（双列直插内存模块）封装形式，适用于需要高速存储器访问的应用场合。420AXW68M16X35具有高可靠性、低功耗和高速数据访问的特点，广泛用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统中。该模块的设计符合JEDEC标准，确保了其在各种系统平台上的兼容性和稳定性。
容量：64MB (68M x 16)
组织结构：x16
电压：3.3V
速度：166MHz / 250MHz 选项
封装类型：DIMM
引脚数：168-pin
访问时间：5.4ns / 4ns
工作温度范围：0°C 至 70°C 或 -40°C 至 85°C（根据等级）
数据宽度：16 位
420AXW68M16X35 是一款高速、低功耗的SRAM内存模块，专为高性能计算和存储系统设计。该模块采用了先进的CMOS工艺制造，提供了卓越的电气性能和热稳定性。它支持多种时钟频率选项，包括166MHz和250MHz，使得系统设计者可以根据应用需求灵活选择。此外，420AXW68M16X35模块具备良好的抗干扰能力，在复杂电磁环境下仍能保持稳定运行。模块采用标准的168针DIMM封装，支持自动刷新和自刷新功能，便于集成到主板上并提高系统可靠性。
该SRAM模块的工作温度范围覆盖0°C至70°C或-40°C至85°C，适合工业级和宽温应用环境，如路由器、交换机、工业控制器和嵌入式系统。同时，模块还具备低功耗特性，在高速运行的同时仍能保持较低的能耗，有助于延长设备的使用寿命并降低运行成本。此外，420AXW68M16X35支持ECC（错误检查与纠正）功能，有助于提高数据完整性并减少数据错误的发生。
420AXW68M16X35 SRAM模块广泛应用于高性能计算设备、通信基础设施、工业控制系统、嵌入式系统、路由器、交换机以及需要高速缓存的存储系统。由于其高速访问能力和宽温工作范围，它特别适合于对存储性能和稳定性要求较高的应用场景。
420AXW68M16X35S, 420AXW68M16X35I
