存储容量：16Kbit
　　组织结构：256 x 64
　　封装类型：DIP（双列直插式封装）
　　工作电压：5V
　　访问时间：约200-400ns
　　刷新周期：64ms
　　数据保持时间：通常为8ms
　　输入/输出接口：TTL兼容
　　工作温度范围：0°C至70°C

4116R8T4000芯片具有典型的DRAM特性，需要定期刷新以保持数据完整性。其访问时间在200至400纳秒之间，适用于当时的中等速度存储应用。该芯片支持TTL电平输入和输出，能够与多种处理器和控制器兼容。由于采用DIP封装，4116R8T4000易于安装和更换，适用于早期的计算机内存模块和嵌入式系统。此外，其64ms的刷新周期确保了较长的数据保持时间，降低了系统刷新频率对性能的影响。芯片在数据存储方面表现出良好的稳定性，适合用于需要中等容量内存的应用场景，如早期的个人计算机、工业控制设备和数据采集系统。
　　4116R8T4000的制造工艺在当时属于成熟的CMOS和双极型技术结合的产物，能够在功耗和速度之间取得较好的平衡。其5V工作电压设计使得它能够与大多数数字逻辑电路兼容，减少了系统设计的复杂性。同时，该芯片的封装尺寸较大，便于手工焊接和维护，适用于DIY电子项目和教育用途。虽然现代存储器技术已经远远超越了4116R8T4000的性能水平，但在特定的复古计算和历史研究应用中，它仍然具有一定的收藏和研究价值。

4116R8T4000主要用于20世纪80年代初期的个人计算机、工作站、工业控制系统和嵌入式设备中，作为主存储器或缓存使用。它也被广泛应用于早期的通信设备和测试仪器中，用于临时数据存储和处理。此外，4116R8T4000还被用于一些教育和实验项目，帮助工程师和学生理解DRAM的工作原理及其在计算机系统中的作用。

4116-1, 4116-2, 4116R8T3000